[发明专利]针对混合接合的后CMP处理在审

专利信息
申请号: 201980049187.5 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN112470272A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: G·G·小方丹;G·高;C·曼达拉普 申请(专利权)人: 伊文萨思粘合技术公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/065;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/18;H01L21/306
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 针对 混合 接合 cmp 处理
【权利要求书】:

1.一种微电子组件,包括:

具有接合表面的第一衬底,所述第一衬底的所述接合表面具有平面化形貌;

第一多个电传导性特征,在所述第一衬底的所述接合表面处;

具有接合表面的第二衬底,所述第二衬底的所述接合表面具有平面化形貌、并且被接合到所述第一衬底的所述接合表面;

第二多个电传导性特征,在所述第二衬底的所述接合表面处、并且被接合到所述第一多个电传导性特征;以及

一个或多个电传导性接触焊盘,被设置在所述第二衬底的绝缘层内、并且在所述第二衬底的所述接合表面下方,所述一个或多个电传导性接触焊盘被设置在与所述第一多个电传导性特征、以及所述第二多个电传导性特征不同的区域中。

2.根据权利要求1所述的微电子组件,还包括一个或多个次级开口,所述一个或多个次级开口在所述第二衬底的所述绝缘层中,所述一个或多个次级开口与所述一个或多个电传导性接触焊盘对准,所述一个或多个次级开口从所述第二衬底的所述接合表面延伸到所述一个或多个电传导性接触焊盘,从而提供到所述一个或多个电传导性接触焊盘的接入。

3.根据权利要求2所述的微电子组件,还包括一个或多个初级开口,所述一个或多个初级开口在所述第一衬底的绝缘层中,所述一个或多个初级开口与所述一个或多个次级开口、以及与所述电传导性接触焊盘对准,所述一个或多个初级开口延伸到所述一个或多个次级开口,从而提供到所述一个或多个电传导性接触焊盘的接入。

4.根据权利要求3所述的微电子组件,其中所述一个或多个初级开口具有一占用区,所述占用区具有与所述一个或多个次级开口不同的尺寸和/或形状。

5.根据权利要求3所述的微电子组件,还包括一个或多个三级开口,所述一个或多个三级开口在所述第一衬底的基层中,所述一个或多个三级开口与所述第一衬底的所述绝缘层中的所述一个或多个初级开口、以及与所述电传导性接触焊盘对准,所述一个或多个三级开口从所述第一衬底的外侧表面延伸到所述一个或多个初级开口,从而提供从所述第一衬底的所述外侧表面之外到所述一个或多个电传导性接触焊盘的接入。

6.根据权利要求5所述的微电子组件,还包括一个或多个电传导性结构,所述一个或多个电传导性结构被设置在以下一项或多项内:所述一个或多个次级开口、所述一个或多个初级开口以及所述一个或多个三级开口,并且所述一个或多个电传导性结构被电耦合到所述一个或多个电传导性接触焊盘。

7.根据权利要求6所述的微电子组件,还包括端子部件,所述端子部件被耦合到所述电传导性结构中的一个或多个电传导性结构,并且所述端子部件被配置为提供从所述第一衬底的所述外侧表面之外到所述一个或多个电传导性接触焊盘的电接入。

8.根据权利要求6所述的微电子组件,其中所述电传导性结构中的一个或多个电传导性结构突出超过所述第一衬底的所述外侧表面。

9.根据权利要求5所述的微电子组件,其中所述一个或多个三级开口具有一占用区,所述占用区具有与所述一个或多个初级开口和/或所述一个或多个次级开口不同的尺寸和/或形状。

10.根据权利要求1所述的微电子组件,还包括一个或多个电传导性互连件,所述一个或多个电传导性互连件被电耦合到所述电传导性接触焊盘中的一个或多个电传导性接触焊盘。

11.根据权利要求1所述的微电子组件,还包括至少一个金属层,所述至少一个金属层被设置在所述第一衬底的暴露的外侧表面上,被配置用于电磁干扰(EMI)保护和/或用于散热。

12.根据权利要求1所述的微电子组件,还包括保护性金属涂层,所述保护性金属涂层被设置在所述一个或多个电传导性接触焊盘的暴露的表面上。

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