[发明专利]清洗方法

说明书

本发明在一个方式中提供一种树脂掩膜去除性优异的清洗方法。本发明在一个方式中涉及一种清洗方法，其包括使用清洗剂组合物将树脂掩膜从附着有树脂掩膜的被清洗物剥离的工序，上述清洗剂组合物含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C)，成分B的汉森溶解度参数的坐标为以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa^0.5的球的范围内，上述清洗剂组合物的导电率为11S/m以上。

技术领域

本发明涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用其的清洗方法及电子部件的制造方法。

背景技术

近年来，在个人计算机或各种电子设备中，低耗电化、处理速度的高速化、小型化不断发展，它们所搭载的封装基板等的布线的微细化逐年推进。这样的微细布线以及立柱或凸块等连接端子的形成迄今为止主要使用金属掩膜法，但由于通用性较低，或难以应对布线等的微细化，因此正在转变成其他新的方法。

作为一个新的方法，已知使用干膜抗蚀剂作为厚膜树脂掩膜来代替金属掩膜的方法。该树脂掩膜最终被剥离、去除，此时使用碱性的剥离用清洗剂。

作为这样的剥离用清洗剂，例如国际公开第2008/071078号(专利文献1)中记载有一种低蚀刻性光致抗蚀剂清洗剂，其特征在于，含有季铵氢氧化物、特定的烷二醇芳基醚或其衍生物、以及(C)苯乙酮或其衍生物。

在美国专利第5185235号说明书(专利文献2)中记载有一种光致抗蚀剂用剥离液，其本质上由(A)脂肪族醇系溶剂35～80质量％、(B)选自卤素系烃溶剂、非羟基化醚溶剂中的有机溶剂10～40质量％、(C)季铵盐0.1～25质量％构成。

在美国专利申请案公开第2014/0155310号说明书(专利文献3)中记载有一种溶液，其含有二甲基亚砜、氢氧化季铵、特定的烷醇胺及包含醇、多羟基化合物或其组合的第2溶剂，水的含量为3质量％以下。

在国际公开第2008/039730号(专利文献4)中记载有一种准水系组合物，其用于微电子设备的再加工，含有至少1种碱和/或碱土金属碱、至少1种有机溶剂及水。

发明内容

本发明在一个方式中涉及一种清洗方法，其包括使用清洗剂组合物将树脂掩膜从附着有树脂掩膜的被清洗物剥离的工序，上述清洗剂组合物含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C)，成分B的汉森(Hansen)溶解度参数的坐标为以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa^0.5的球的范围内，上述清洗剂组合物的导电率为11S/m以上。

具体实施方式

在印刷基板等形成微细布线后，除为了降低树脂掩膜的残存以外，还为了降低微细布线或凸块形成所使用的焊料或镀覆液等所含有的助剂等的残存，对清洗剂组合物要求高的清洗性。树脂掩膜使用因光或电子束等而对显影液的溶解性等物性发生变化的抗蚀剂形成。

抗蚀剂根据与光或电子束的反应方法，大致分为负型和正型。负型抗蚀剂具有当曝光时对显影液的溶解性降低的特性，含有负型抗蚀剂的层(以下也称为“负型抗蚀剂层”)在曝光及显影处理后曝光部被用作树脂掩膜。正型抗蚀剂具有当曝光时对显影液的溶解性增大的特性，含有正型抗蚀剂的层(以下也称为“正型抗蚀剂层”)在曝光及显影处理后曝光部被去除，未曝光部被用作树脂掩膜。通过使用具有这样的特性的树脂掩膜，可形成金属布线、金属立柱或焊料凸块之类的电路基板的微细连接部。

但是，由于在这些连接部形成时所使用的镀覆处理或加热处理等，树脂掩膜的特性发生变化，在下一工序的清洗工序中有树脂掩膜不易被去除的倾向。尤其负型抗蚀剂具有通过与光或电子束的反应而固化的特性，因此使用负型抗蚀剂所形成的树脂掩膜因在连接部形成时所使用的镀覆处理或加热处理等而导致固化过度推进，在清洗工序中无法完全去除，或者由于去除所耗费的时间非常长而会对基板或金属表面产生损伤。这样的经镀覆处理和/或加热处理的树脂掩膜不易被去除，因此对清洗剂组合物要求高的树脂掩膜去除性。