[发明专利]电磁辐射检测装置在审
申请号: | 201980049492.4 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN112740408A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | N.佩雷-拉珀内 | 申请(专利权)人: | 灵锐得 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭晓东 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁辐射 检测 装置 | ||
一种检测装置,包括吸收性第一堆叠(2),其被配置为吸收至少第一波长范围内的电磁辐射并呈现第一热膨胀系数。其还包括形成光学功能并具有第二热膨胀系数的第二堆叠(3)。第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数,并且检测装置还包括将第一堆叠和第二堆叠分开的缓冲层(4)。缓冲层(4)具有介于0.5μm至50μm的厚度,以便吸收由第一叠层(2)引起的机械应力。
技术领域
本发明涉及一种电磁辐射检测装置。
背景技术
为了检测场景中的一个或多个电磁信号,通常使用检测装置。该检测装置包括彼此堆叠的多个层,以便执行检测所观察到的信号所需的光学和电光功能。
所述检测装置包括导电层、电绝缘层和/或半导体层,所述导电层、电绝缘层和/或半导体层被组装以便收集电磁辐射并将在检测装置中形成的电荷引导至用于待处理的电信号的输出端子。
该检测装置还包括被配置为消除至少一部分干涉光信号的层堆叠,其通常是阻挡感兴趣波长范围之外的电磁辐射的光学滤波器。除了滤波器功能之外,通常还具有一个或多个透镜,该一个或多个透镜透镜将电磁辐射集中在执行电磁辐射转换为电信号的区域的方向上。
用于形成检测装置的堆叠很复杂,因此在制造和测试这些产品之前要进行大量的仿真工作。
为了检测电磁辐射,通常的做法是使用冷却的检测装置,即,将检测装置与冷却器相关联,以使检测装置在低温时操作。冷却器使检测装置能够被冷却以减少某些噪声成分。
显而易见的是,当经模拟的检测装置的实际实施发生时,获得的性能并不总是与模拟的结果一致,从而需要漫长而昂贵的补充开发步骤。
发明内容
本发明的一个目的在于纠正这些缺点,并且提供一种检测装置,其与现有技术的检测装置相比,特别是在低温下,具有更好的性能。
提供包括以下内容的检测装置是特别有利的:
-吸收性第一堆叠,其被配置为吸收至少第一波长范围内的电磁辐射并呈现第一热膨胀系数,以及
-形成光学功能并呈现第二热膨胀系数的第二堆叠。
该检测装置的显着之处在于,第一热膨胀系数与第二热膨胀系数不同,并且其包括将第一堆叠和第二堆叠分开的缓冲层,该缓冲层的厚度在0.5μm至50μm范围内,以吸收由第一堆叠引起的机械应力。
在一种改进中,缓冲层是电绝缘的。
在特定实施例中,缓冲层被配置为不吸收第一波长范围。
提供一种这样检测装置是有利的,其中:
-吸收性第一堆叠包括第一光电检测器和与第一光电检测器相邻的第二光电检测器,
-第二堆叠包括面对第一光电检测器的第一滤波器,第一滤波器被配置为让第一波长范围通过并阻挡与第一波长范围不同的第二波长范围,第二光电检测器被与第一滤波器不同的光学功能覆盖,以使由第一和第二光电检测器接收到的电磁辐射分离。
在替代实施例中,光学功能是也覆盖第一光电检测器的抗反射层。
有利的是,将光学功能设置为第二滤波器,该第二滤波器被配置为让第二波长范围通过并阻挡第一波长范围。
在另一个发展中,第一光电检测器和第二光电检测器被配置为吸收第一波长范围和第二波长范围。
附图说明
从以下仅出于非限制性示例目的给出并在附图中表示的本发明的特定实施例的描述,其他优点和特征将变得更加明显。在附图中:
图1以截面图示意性地示出了检测装置的实施例;
图2至图4以截面图示意性地示出了检测装置的制造方法的制造步骤;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灵锐得,未经灵锐得许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980049492.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的