[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具有第一臂部，

所述第一臂部具备：

第一半导体芯片，其在背面具备第一正极电极且在正面具备第一负极电极和第一控制电极；

第一电路图案，其在俯视时呈凹形并配置有所述第一正极电极；以及

第二电路图案，其在俯视时至少一部分配置在由所述第一电路图案的凹陷形成的第一配置区域，并在所述第一配置区域中通过所连接的第一布线部件电连接于所述第一负极电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体芯片隔着所述第一配置区域分别配置于所述第一电路图案。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体芯片是RC-IGBT或MOSFET。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有第二臂部，

所述第二臂部具备：

第二半导体芯片，其在背面具备第二正极电极并在正面具备第二负极电极和第二控制电极；

第三电路图案，其在俯视时呈凹形且具有与所述第一电路图案的配置有凹陷的一侧对置的凹陷，并配置有所述第二正极电极；以及

第四电路图案，其在俯视时至少一部分配置在由所述第三电路图案的凹陷形成的第二配置区域，并在所述第二配置区域中通过所连接的第二布线部件电连接于所述第二负极电极。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二电路图案在俯视时为包括第一部分和第二部分的L字型，所述第一部分配置于所述第一配置区域，所述第二部分沿与所述第一配置区域的延伸方向呈直角的方向延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第四电路图案在俯视时为包括第三部分和第四部分的L字型，所述第三部分配置于所述第二配置区域，所述第四部分沿与所述第二配置区域的延伸方向呈直角并且与所述第二电路图案的所述第二部分的延伸方向相反一侧的方向延伸。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二电路图案在俯视时为包括第一部分和第二部分的T字型，所述第一部分配置于所述第一配置区域，所述第二部分沿与所述第一配置区域的延伸方向正交的方向延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第四电路图案在俯视时为包括第三部分和第二部分的T字型，所述第三部分配置于所述第二配置区域，所述第二部分沿与所述第二配置区域的延伸方向正交的方向延伸。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一臂部还具有第五电路图案，

所述第五电路图案与所述第一配置区域一起夹着所述第一电路图案并与所述第一电路图案相邻配置，并且通过第一控制布线部件电连接于所述第一控制电极。

10.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一臂部还具有第五电路图案，

所述第五电路图案与所述第一配置区域一起夹着所述第一电路图案并与所述第一电路图案相邻配置，并且通过第一控制布线部件电连接于所述第一控制电极，

所述第二臂部还具有第六电路图案，

所述第六电路图案与所述第二配置区域一起夹着所述第三电路图案并与所述第三电路图案相邻，并且与所述第五电路图案隔着所述第一配置区域和所述第二配置区域而配置于所述第五电路图案的相反侧的位置，通过第二控制布线部件电连接于所述第二控制电极。