[发明专利]3D NAND蚀刻

权利要求书

1.一种蚀刻膜堆叠的方法，所述方法包含：

提供基板，所述基板具有形成在其上的第一厚度的膜堆叠；

将所述膜堆叠蚀刻到第二厚度的深度以形成具有侧壁和底部的具有基本上均匀宽度的间隙，所述第二厚度小于所述第一厚度；

将衬垫沉积在所述间隙的所述侧壁和所述底部上；

从所述间隙的所述底部蚀刻所述衬垫；

将所述膜堆叠相对于所述衬垫选择性地蚀刻到第三厚度的深度，以延伸所述间隙的深度；以及

将所述衬垫移除。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述交替层的厚度在约至约的范围中。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含在蚀刻之前在所述膜堆叠上形成图案化的硬掩模。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述图案化硬掩模中的开口暴露待蚀刻的所述膜堆叠的部分。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述开口具有在约10nm至约100nm的范围中的宽度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述衬垫包含硼。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述衬垫包含B、BN、BC或BCN中的一者或多者。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述衬垫具有在约至约的范围中的厚度。

9.如权利要求1所述的方法，其中通过包含在气氛中退火的工艺来移除所述衬垫，所述气氛包含在大于或等于约500℃的温度下的蒸汽。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述衬垫包含碳，并且通过进一步包含在约300℃至约400℃的范围中的温度下执行氧等离子体灰化的工艺来移除所述衬垫。

11.如权利要求1所述的方法，其中每个蚀刻工艺是基本上定向的。

12.一种蚀刻膜堆叠的方法，所述方法包含：

提供基板，所述基板具有形成在其上的第一厚度的膜堆叠，所述膜堆叠包含氧化物和氮化物的交替层；

在所述膜堆叠上形成图案化的硬掩模；

通过所述硬掩模将所述膜堆叠蚀刻到第二厚度的深度，以形成具有侧壁和底部的具有基本上均匀宽度的间隙，所述第二厚度小于所述第一厚度；

在所述间隙的所述侧壁和所述底部上沉积衬垫，所述保形的衬垫包含硼；

从所述间隙的所述底部蚀刻所述衬垫；

将所述膜堆叠相对于所述衬垫选择性地蚀刻到第三厚度的深度，以延伸所述间隙的深度；以及

在蒸汽气氛下执行所述基板的退火以移除所述衬垫。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述间隙的所述基本上均匀宽度在约10nm至约100nm的范围中。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述衬垫具有在约至约的范围中的厚度。

15.一种蚀刻膜堆叠的方法，所述方法包含：

提供基板，所述基板具有形成在其上的膜堆叠，所述膜堆叠具有在约至约的范围中的第一厚度，所述膜堆叠包含氧化物和氮化物的交替层；

在所述膜堆叠上形成图案化的硬掩模，所述图案化的硬掩模具有暴露所述膜堆叠的开口，所述开口具有在约10nm至约100nm的范围中的宽度；

通过所述硬掩模将所述膜堆叠蚀刻到第二厚度的深度，以形成具有侧壁和底部的具有基本上均匀宽度的间隙，所述第二厚度小于所述第一厚度；

在所述间隙的所述侧壁和所述底部上沉积衬垫，所述保形的衬垫包含硼和碳；

从所述间隙的所述底部蚀刻所述衬垫；

将所述膜堆叠相对于所述衬垫选择性地蚀刻到第三厚度的深度，以延伸所述间隙的深度；以及

通过工艺来移除衬垫，所述工艺包含：

在大于或等于约500℃的温度的蒸汽气氛下执行退火；以及

在约300℃至约400℃的范围中的温度下执行氧等离子体灰化。