[发明专利]具有用于搬运衬底的承载环的CVD反应器和承载环在CVD反应器上的应用

说明书

本发明涉及一种装置的应用，所述装置具有布置在反应器壳体(1)中的基座组件(3)，该基座组件具有至少一个朝向过程室(2)的、具有凹槽(17)的宽侧平面(15')和置入至少一个凹槽(17)中的用于承载和搬运衬底(10)的承载元件(20)，其中，该承载元件(20)的平行于所述宽侧平面(15')延伸的上侧(26)与凹空(11)的界面邻接，所述衬底(10)被布置在该凹空中，其中，所述界面的在内柱体侧面上延伸的区段(24)以形成倒圆的边缘(25)或斜面(25')的方式过渡至所述承载元件(20)的上侧(26)，以便将由含有硅和碳的气态原料的分解产物构成的层沉积在一个或多个衬底(10)上。为了防止寄生的沉积物在环(20)的内棱边上生长，在此建议，所述界面(24)的在内柱体侧面上延伸的区段具有高度(a)，该高度大于衬底(10)的材料厚度(d)，并且所述倒圆的棱边(25')的半径(R)大于0.4mm。

技术领域

本发明涉及一种用于将尤其由尤其含有硅和碳的气态原料的分解产物构成的层沉积在一个或多个衬底上的装置，该装置具有布置在反应器壳体中的基座组件，该基座组件具有至少一个朝向过程室的、具有凹槽的宽侧平面(或者说平坦的宽侧面)和置入至少一个凹槽中的用于承载和搬运衬底的承载环，其中，该承载环的平行于所述宽侧平面延伸的上侧与凹空的界面邻接，所述衬底能布置在该凹空中。

此外，本发明还涉及一种用在这种装置上或用在用于沉积尤其由碳和硅构成的层的方法中的承载环。

此外，本发明还涉及这种承载环的应用。

背景技术

尤其适合于沉积SiC的同类型的装置具有过程室，该过程室布置在反应器壳体中并且尤其也可以被抽真空。过程室的底部由基座组件构成。基座组件可以从下方被加热。布置在基座组件上方的过程室向上由过程室顶部限定边界。用于尤其包含碳和硅的气态原料的进入的进气机构通入过程室中。过程室或基座组件的朝向过程室的宽侧平面被加热至过程温度，在过程温度下，可以是硅烷和甲烷或其它硅氢或碳氢化合物的原料分解，从而碳化硅层沉积在由基座组件承载的衬底上。这在高于1000摄氏度、尤其高于1300摄氏度或1500摄氏度的温度下进行。

为了搬运衬底设有置于基座组件的凹槽中的承载环，其中，大致呈圆形的衬底的边缘至少在搬运衬底时支撑在承载环的支撑面上。利用具有两个彼此平行延伸的抓指的夹具可以从下方抓住承载环的径向外部区段，以便将承载环从基座组件的凹槽提起。为此，基座组件优选具有朝边缘敞开的通道，抓指可以嵌接到这些通道中。

现有技术包括如下专利文献：DE 10232 731 A1、DE 10 2016 103 530 A1、DE 102005 018 161 A1和US 2016/0172165 A1、DE 10 2012 106 796 A1、DE 10 2005 018 161A1、DE 10 2017 101 648 A1。

在目前用于沉积SiC的装置中，承载环的上侧基本上以尖锐的棱边过渡至内柱体面，该内柱体面包围衬底的边缘。用于将衬底的边缘支撑在承载环上的支撑面相对于承载环的上侧的距离在那里基本上等于衬底的材料厚度，从而衬底表面在也供承载环的上侧延伸的同一水平面上延伸。

在承载环的这种设计方案中，在其用于沉积SiC层时，观察到在承载环的边缘棱边上的颗粒形成。这些“晶须”、“枝晶”或齿形的寄生沉积物对沉积结果产生不利影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，采取措施以防止在承载环的边缘上产生这类沉积物。

所述技术问题通过在权利要求中给出的发明解决，其中，从属权利要求不仅是并列的权利要求的有利的扩展设计，而且是所述技术问题的独立解决方案。