[发明专利]盒以及清洗浴槽套件在审
申请号: | 201980050155.7 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN112514034A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 渡边真悟;口山崇 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/12;H01L21/306;H01L21/673 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王玮;闫月 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 以及 洗浴 套件 | ||
本发明提供盒以及清洗浴槽套件。在保持有至少一个半导体基板(57)的状态下被浸渍于清洗浴槽(21)内的处理液的盒(51)由筒状体(52)构成,并且具备向筒状体(52)的外侧露出的外周面(52a)、和将至少一个半导体基板(57)保持于筒状体(52)的内周面的保持部(保持用突起部(52e)、基板支承部(52f))。在筒状体(52)的与筒轴方向正交的截面中,外周面(52a)的周向的一部分为曲线,余部为直线。
技术领域
在本说明书中公开的技术涉及在保持有至少一个半导体基板的状态下被浸渍于清洗浴槽内的处理液的盒以及具备该盒的清洗浴槽套件。
背景技术
以往,公知为了使半导体基板浸渍于清洗浴槽的处理液来进行超声波处理,而将半导体基板保持于盒。例如,在专利文献1中,在将基板(在专利文献1中液晶显示元件的透明基板)保持于盒而使保持于该盒的基板和盒一起浸渍于清洗浴槽的处理液的状态下,对基板进行超声波处理。
专利文献1:日本特开平6-138437号公报
然而,当通过剥离法进行在硅晶片上成膜成的薄膜的刻画图案时,在该刻画图案的工序中,包含薄膜的剥离工序。当在该剥离工序中导入有超声波处理时,工序的成品率显著改善。
但是,当进行超声波处理时,根据盒以及清洗浴槽的形状,有时在清洗浴槽内的处理液中产生驻波。此时,因由驻波引起的声压的不均匀,产生清洗不均,并且特别是厚度薄的半导体基板(例如太阳能电池用的半导体基板)被驻波的腹部的部分(声压高的部分)按压而容易受到损伤。
发明内容
此处公开的技术是鉴于该问题而完成,其目的在于,提供能够与清洗浴槽的形状无关地良好地进行半导体基板的超声波处理的盒以及清洗浴槽套件。
为了实现上述目的,提供以下的盒以及清洗浴槽套件。
上述盒是为了使至少一个半导体基板浸渍于清洗浴槽内的处理液来进行超声波处理,而在保持有上述至少一个半导体基板的状态下被浸渍于上述处理液的盒,上述盒由筒状体构成,并且具备向上述筒状体的外侧露出的外周面和将上述至少一个半导体基板保持于上述筒状体的内周面的保持部,在上述筒状体的与筒轴方向正交的截面中,上述外周面的周向的一部分为曲线,余部为直线。
上述清洗浴槽套件具备:盒,由筒状体构成,为了使至少一个半导体基板浸渍于处理液并进行超声波处理,在上述盒保持有上述至少一个半导体基板的状态下被浸渍于上述处理液;以及清洗浴槽,能够将上述盒以上述筒状体的筒轴方向成为上下方向的方式配置于内部且浸渍于存积的处理液,上述盒具有向上述筒状体的外侧露出的外周面、和将上述至少一个半导体基板保持于上述筒状体的内周面的保持部,在上述筒状体的与筒轴方向正交的截面中,上述外周面的周向的一部分为曲线,余部为直线。
发明的效果
基于上述盒以及清洗浴槽套件,能够与清洗浴槽的形状以及盒设置位置无关地良好地进行半导体基板的超声波处理,并且即便对厚度薄的半导体基板(例如太阳能电池用的半导体基板)进行超声波处理,也不会给予半导体基板损伤。
附图说明
图1是将例示的实施方式的盒被配置为浸渍于存积的处理液的清洗浴槽和盒一起示出的俯视图。
图2是将清洗浴槽沿与其筒轴方向正交的面(水平面)切断得到的剖视图。
图3是沿图1的III-III线切断得到的剖视图。
图4是表示保持有半导体基板的盒的筒状体的、沿筒状体的与筒轴方向正交的面切断得到的剖视图。
图5是局部示出太阳能电池的示意的剖视图。
图6是表示构成太阳能电池的结晶基板的里侧主表面的仰视图。
图7是表示太阳能电池的制造方法的一个工序的与图5相当的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造