[发明专利]层叠体以及层叠体的制造方法

说明书

本发明提供一种具有充分的耐热性，并且，耐热高分子膜和无机基板的粘接力良好的层叠体。一种层叠体，其具有：耐热高分子膜、无机基板及使用多元胺化合物而形成的多元胺化合物层，所述多元胺化合物层形成于所述耐热高分子膜与所述无机基板之间。

技术领域

本发明涉及层叠体以及层叠体的制造方法。

背景技术

近年，以半导体元件、MEMS元件、显示元件等功能元件的轻质化、小型/薄型化、柔韧化为目的，在高分子膜上形成这些元件的技术开发正在积极地进行。即，作为信息通信设备(广播设备、移动无线电、移动通信设备等)、雷达、高速信息处理设备等的电子部件的基材材料，目前，使用具有耐热性且能够应对信息通信设备的信号高频化(达到GHz频带)的陶瓷，但是由于陶瓷不具有挠性且难以薄型化，因此存在适用领域受到限制的缺点，因此最近将高分子膜用作基板。

当在高分子膜的表面上形成诸如半导体元件、MEMS元件和显示元件等功能元件时，理想的是通过利用高分子膜的特性的柔性的所谓的卷对卷(roll-to-roll)工艺来对其进行处理。然而，半导体产业、MEMS产业、显示产业等业界中，至今已经构建了将晶片基体或玻璃基板基体等刚性的平面基板作为对象的工艺技术。这里，为了利用现有的基础设施在高分子膜上形成功能元件，使用如下工艺：将高分子膜贴合在例如，玻璃板、陶瓷板、硅晶片或金属板等无机物形成的刚性的支撑体上，并在其上形成期望的元件后，从支撑体剥离。

另外，在高分子膜与无机物构成的支撑体贴合而成的层叠体上形成期望的功能元件的工艺中，该层叠体暴露在高温中的情况较多。例如，在多晶硅、氧化物半导体等功能元件的形成中，需要在200℃～600℃左右的温度区域下的工序。另外，在氢化非晶硅薄膜的制备中，存在对膜施加200～300℃左右的温度的情况，进一步为了加热非晶硅，进行脱氢化而制成低温多晶硅，存在需要450℃～600℃左右的加热的情况。因此，要求构成层叠体的高分子膜具有耐热性，但作为实际技术问题在这样的高温区域中可以实际使用的高分子膜受到限制。另外，认为高分子膜与支撑体的贴合中通常使用粘合剂或粘接剂，此时也要求高分子膜与支撑体之间的接合面(即贴合用的粘接剂或粘合剂)具有耐热性。但是，通常的贴合用粘接剂或粘合剂不具有充分的耐热性，在功能元件的形成温度较高时，基于粘接剂或粘合剂的贴合并不适用。

由于认为不存在具有充分的耐热性的粘合剂或粘接剂，因此，目前，上述用途中，一直采用将高分子溶液或高分子前体溶液涂布在无机基板上并使其在无机基板上干燥、固化从而进行膜化，并用于该用途的技术。然而，通过这样的手段得到的高分子膜较脆容易开裂，因此在高分子膜表面形成的功能元件从无机基板剥离时破坏的情况较多。特别是，从无机基板剥离大面积的膜是非常困难的，几乎无法得到在工业上可行的成品率。

鉴于上述情况，作为用于形成功能元件的高分子膜和无机基板的层叠体，提出了耐热性优异且强韧、可以进行薄膜化的聚酰亚胺膜通过硅烷偶联剂贴合在无机基板上形成的层叠体(例如，参照专利文献1～3)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5152104号公报

专利文献2：日本专利第5304490号公报

专利文献3：日本专利第5531781号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的发明人对耐热高分子膜和无机基板贴合得到的层叠体进行了进一步深入地研究。其结果发现：在耐热高分子膜和无机基板之间形成多元胺化合物层，让人惊讶的是，具有与使用硅烷偶联剂时相同或者其以上的充分的耐热性，且耐热高分子膜和无机基板的粘接力变得良好，从而完成本发明。

解决问题的技术方案