[发明专利]石墨烯扩散阻挡物在审
| 申请号： | 201980050230.X | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN112514031A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 巫勇;S·冈迪科塔;A·B·玛里克;S·D·耐马尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/768;H01L29/16;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 扩散 阻挡 | ||
1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括：
在基板表面上形成石墨烯阻挡层；以及
在所述石墨烯阻挡层上沉积填充层，
其中所述石墨烯阻挡层防止至少一种元素在所述填充层与所述基板表面之间的扩散。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板表面包括介电材料。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述介电材料包括金属氧化物。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述介电材料基本上由Al2O3组成。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述石墨烯阻挡层的厚度在约至约的范围中。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述填充层包括钨、钌、铜或钴中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种元素包括卤素、氧或硼中的一种或多种。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述至少一种元素基本上由氟组成。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述填充层包括钨，并且通过包括将所述石墨烯阻挡层顺序地暴露于包括WF6的钨前驱物、以及反应物的方法来沉积所述填充层。
10.一种形成电子装置的方法，所述方法包括：
在包括Al2O3的基板表面上形成石墨烯阻挡层，所述石墨烯阻挡层的厚度在约至约的范围中；
在所述石墨烯阻挡层上形成非晶硅层；以及
将所述非晶硅层暴露于钨前驱物以通过原子取代形成钨层，所述钨前驱物包括WF6，
其中所述石墨烯阻挡层防止氟扩散到所述基板表面中。
11.一种电子装置，所述电子装置包括在第一材料与第二材料之间的石墨烯阻挡层，其中所述石墨烯阻挡层防止至少一种元素在所述第一材料与所述第二材料之间的扩散。
12.如权利要求11所述的装置，其中所述石墨烯阻挡层具有在约至约的范围中的厚度。
13.如权利要求11所述的装置，其中所述至少一种元素包括卤素、氧或硼中的一种或多种。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述至少一种元素基本上由氟组成。
15.如权利要求11所述的装置，其中所述装置为包括所述第一材料和所述第二材料的多个交替层的3D NAND装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
