[发明专利]用于DRAM STI有源切割图案化的多色方法

说明书

描述了用以提供图案化的基板的装置及方法。通过以下步骤来形成多个图案化及隔开的第一线及碳材料线于基板表面上：选择性地沉积及蚀刻在第一方向上延伸的膜及在第二方向上延伸的膜，该第二方向与该第一方向交叉以图案化下层的结构。

技术领域

本公开内容的实施方式与电子器件的制造的领域相关，且特定而言与三维(3D)存储结构相关。尤其是，本公开内容的实施方式涉及用于有源切割自对准四重图案化(SAQP)应用的方法。

背景技术

一般而言，集成电路(IC)指的是形成于半导体材料(通常是硅)的小型芯片上的一组电子器件，例如晶体管。通常，IC包括一或多个金属化层，这一或多个金属化层具有金属线以将IC的电子器件彼此连接及连接到外部连接件。一般而言，层间介电材料层被安置在IC的金属化层之间以供绝缘。

对于目前的动态随机存取存储器(DRAM)有源切割图案化(D1x、D1y节点)而言，采用交叉自对准双重图案化(X-SADP)或光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)方案。然而，这些方案的整合使得浅沟槽隔离(STI)有源岛状区域(也称为有源区域)随着技术节点进步而减少。若有源区域收缩，则这可能造成埋入的字线图案化及产量问题。因此，在本领域中持续需要用于改善有源切割区域的方法。

发明内容

本公开内容的一或多个实施方式涉及形成电子器件的方法。提供了基板以供处理。该基板包括：多条第一线，沿着第一方向延伸，这些第一线包括第一间隔材料；多条第二线，包括第二间隔材料且沿着该第一方向延伸，这些第二线被布置在所述多条第一线的任一侧上且在相邻的第二线之间具有暴露该基板的一部分的沟槽。执行保形间隙填充过程以用碳间隙填充材料填充该沟槽以沿着该第一方向形成碳线及沉积覆盖碳材料，该覆盖碳材料具有与填充后的该沟槽中的该碳间隙填充材料对准的开口。在该碳材料上沉积旋转涂布碳(SOC)层以填充该覆盖碳材料中的该开口及覆盖填充后的该沟槽中的该碳间隙填充材料以及该覆盖碳材料。移除该SOC层及该覆盖碳材料以暴露该第一间隔材料、该第二间隔材料、及该碳间隙填充材料的顶表面。

本公开内容的额外实施方式涉及形成电子器件的方法。提供了基板，该基板包括：多条第一线，沿着第一方向延伸；多条碳材料线，沿着该第一方向延伸，这些碳材料线中的每一条均由第二线与相邻的第一线分开；氧化物层，位于这些第一线、这些第二线、及这些碳材料在线；及多条第三线，位于该氧化物层上，这些第三线沿着与该第一方向不同的第二方向延伸且被分隔以在相邻的第三线之间形成沟槽。执行保形间隙填充过程以用第四间隔材料填充相邻的第三线之间的该沟槽。移除该第四间隔材料的部分以提供该第四间隔材料的多条第四线。这些第四线中的每一条均与第三线相邻，使得每条第三线均在该第三线的任一侧上具有第四线，及形成暴露氧化物层的开口。执行第一切割蚀刻过程以移除该氧化物层以及这些第一线及这些碳材料线在该氧化物层下方的部分，而留下这些第二线。

本公开内容的另外实施方式涉及用于形成半导体器件的处理工具。这些处理工具包括：中央转运站，具有围绕该中央转运站设置的多个处理腔室。机器人位于该中央转运站内且被配置为在这多个处理腔室之间移动基板。第一处理腔室连接到该中央转运站。该第一处理腔室被配置为执行蚀刻过程。第二处理腔室连接到该中央转运站。该第二处理腔室被配置为执行沉积过程。控制器连接到该中央转运站、该机器人、该第一处理腔室、和/或该第二处理腔室中的一或多个。该控制器具有选自以下项的一或多种配置：第一配置，用以在这多个处理腔室之间移动该机器人上的基板；第二配置，用以在这些处理腔室中的一或多个中执行保形间隙填充过程；第三配置，用以执行一或多个蚀刻过程；第四配置，用以执行化学机械平坦化过程；及第五配置，用以执行光刻过程。

附图说明

以上简要概述本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式、以及对本公开内容的更特定描述，可通过参照实施方式来获得，其中一些实施方式绘示于附图中。然而，应当注意，附图仅绘示本公开内容的典型实施方式，因而不应被视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可以允许其他等同有效的实施方式。如本文中所述的实施方式以实例而非限制的方式绘示于附图的图式中，在这些附图中，类似的附图标号标示类似的元件。