[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

有源部，设置于所述半导体基板；

第一阱区和第二阱区，设置于所述半导体基板，并配置为在俯视时夹着所述有源部；

周边阱区，设置于所述半导体基板，并配置为在俯视时包围所述有源部；

中间阱区，设置于所述半导体基板，并在俯视时配置在所述第一阱区和所述第二阱区之间；

第一焊盘，配置在所述第一阱区的上方；

第二焊盘，配置在所述第二阱区的上方；以及

温度感测二极管，配置在所述中间阱区的上方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一阱区和所述第二阱区比所述周边阱区更向所述有源部的中央侧突出。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板具有在俯视时相对的第一端边和第二端边，

所述第一阱区配置在所述有源部与所述第一端边之间，

所述第二阱区配置在所述有源部与所述第二端边之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备与所述第一焊盘连接的栅极流道，

所述第一焊盘配置在所述第一端边的中央。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极流道具备：

有源周边部，在俯视时包围所述有源部；

第一阱周边部，在俯视时包围所述第一阱区；以及

第二阱周边部，在俯视时包围所述第二阱区。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一阱周边部配置在所述第一端边的中央，

所述第二阱周边部配置在所述第二端边的中央。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间阱区在俯视时从所述第一阱区起设置至所述第二阱区为止。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间阱区具有在俯视时与将所述第一阱区和所述第二阱区连结的方向正交的方向上的宽度比其他部分的宽度宽的宽幅部，

在所述宽幅部的上方配置有所述温度感测二极管。

9.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极流道具有：

环状部，在俯视时包围所述温度感测二极管；

第一延伸部，从所述第一阱区起设置至所述环状部为止；以及

第二延伸部，从所述第二阱区起设置至所述环状部为止。

10.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

有源部，设置于所述半导体基板；

栅极流道，设置于所述半导体基板，并设置为在俯视时横穿所述有源部；以及

温度感测二极管，配置在所述半导体基板的上方；

所述栅极流道具备：

环状部，在俯视时包围所述温度感测二极管；

第一延伸部，从所述环状部的一个端部延伸到所述有源部的一个端部；以及

第二延伸部，从所述环状部的另一端部延伸到所述有源部的另一端部。