[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘层；

包含铟、镓及氧的半导体层，该半导体层位于所述第一绝缘层上；

具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构的第二绝缘层，该第二绝缘层位于所述半导体层上；以及

所述第二绝缘层上的第一导电层，

其中，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜及所述第三绝缘膜各自包含氧化物，

所述第一绝缘膜包括与所述半导体层接触的部分，

并且，所述半导体层包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述半导体层包含锌，

并且所述半导体层包括锌的含有率比镓的含有率高的区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括所述第二绝缘层与所述第一导电层之间的金属氧化物层，

其中所述金属氧化物层包含选自铝、铪、铟、镓及锌中的一种以上的元素。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述金属氧化物层包含铟，

并且所述金属氧化物层及所述半导体层具有大致相同的铟的含有率。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜以比所述第二绝缘膜低的沉积速率形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第二导电层，

其中所述第二导电层包括隔着所述第一绝缘层与所述半导体层重叠的区域，

所述第一绝缘层具有依次层叠第四绝缘膜、第五绝缘膜、第六绝缘膜及第七绝缘膜的叠层结构，

所述第七绝缘膜包含氧，

并且所述第四绝缘膜、所述第五绝缘膜及所述第六绝缘膜各自包含氮。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述第七绝缘膜包含氧化硅，

并且所述第四绝缘膜、所述第五绝缘膜及所述第六绝缘膜各自包含氮化硅。

8.一种半导体装置，包括：

第一绝缘层；

包含铟及氧的半导体层，该半导体层位于所述第一绝缘层上；

具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构的第二绝缘层，该第二绝缘层位于所述半导体层上；以及

所述第二绝缘层上的第一导电层，

其中，所述半导体层不包含镓，

所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜及所述第三绝缘膜各自包含氧化物，

并且，所述第一绝缘膜包括与所述半导体层接触的部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中所述半导体层包含锌。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括所述第二绝缘层与所述第一导电层之间的金属氧化物层，

其中所述金属氧化物层包含选自铝、铪、铟、镓及锌中的一种以上的元素。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，

其中所述金属氧化物层包含铟，

并且所述金属氧化物层及所述半导体层具有大致相同的铟的含有率。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜以比所述第二绝缘膜低的沉积速率形成。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括第二导电层，

其中所述第二导电层包括隔着所述第一绝缘层与所述半导体层重叠的区域，

所述第一绝缘层具有依次层叠第四绝缘膜、第五绝缘膜、第六绝缘膜及第七绝缘膜的叠层结构，

所述第七绝缘膜包含氧，

并且所述第四绝缘膜、所述第五绝缘膜及所述第六绝缘膜各自包含氮。