[发明专利]逻辑到物理表片段在审

专利信息
申请号: 201980050385.3 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN112513823A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: D·巴卢智;D·米诺波力 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/0868;G06F3/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 逻辑 物理 片段
【说明书】:

可存储各自包含第一逻辑地址的逻辑地址到物理地址转译的逻辑到物理表。可存储各自包含第二逻辑地址的逻辑地址到物理地址转译的逻辑到物理表片段。可存储第一级索引。所述第一级索引可包含针对所述第一逻辑地址中的每一者的所述逻辑到物理表中的相应者的物理表地址及指向针对所述第二逻辑地址中的每一者的第二级索引中的相应指针。所述第二级索引可被存储且可包含针对所述第二逻辑地址中的每一者的相应逻辑到物理表片段的物理片段地址。

技术领域

发明大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及逻辑到物理表片段。

背景技术

存储器装置通常被提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据(例如主机数据、错误数据等),且尤其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及静态随机存取存储器(SRAM)等。非易失性存储器可在未被供电时通过保持所存储数据提供永久数据,且可尤其包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻性随机存取存储器(MRAM)。

“主存储器”是所属领域中描述存储可被处理器直接存取及操纵的数据的存储器的术语。主存储器的实例是DRAM。主存储器提供数据的初级存储且可为易失性存储器或非易失性存储器(例如,在管理为主存储器(例如非易失性双列直插式存储器模块(DIMM))的非易失性RAM的情况中)。次级存储装置可用于提供数据的次级存储且不能被处理器直接存取。然而,如本文中使用,“主存储器”不一定必须是易失性存储器且在一些实施例中可为非易失性存储器。

存储器装置可经组合在一起以形成例如固态驱动器(SSD)的存储器系统的存储卷。固态驱动器可包含非易失性存储器(例如NAND快闪存储器及NOR快闪存储器),且/或可包含易失性存储器(例如DRAM及SRAM)以及其它类型的非易失性及易失性存储器。SSD可具有控制器,其具有稳健量的局部初级存储装置以使SSD能执行相较于可由不太稳健的装置(例如移动装置)执行的那些存储器管理操作相对复杂的对次级存储装置的存储器管理操作。

控制器的局部初级存储装置相较于多数次级存储装置来说是有限且相对昂贵的资源。控制器的局部初级存储装置的重要部分可专用于存储逻辑到物理表,所述逻辑到物理表存储针对逻辑地址的逻辑地址到物理地址转译。逻辑地址是从执行的应用程序的角度来看存储器单元(例如存储器单元、数据扇区、数据块等)看起来驻留在其处的地址且可为由主机或处理器产生的地址。物理地址是使数据总线能存取物理存储器的特定单元(例如存储器单元、数据扇区、数据块等)的存储器地址。

附图说明

图1是根据本发明的数个实施例的呈包含至少一个存储器系统的计算系统的形式的设备的框图。

图2是根据本发明的数个实施例的逻辑到物理表区及逻辑到物理表片段区的框图。

图3是根据本发明的数个实施例的逻辑到物理表区及逻辑到物理表片段区的布局的框图。

图4A是根据本发明的数个实施例的第一级索引的框图。

图4B是根据本发明的数个实施例的第二级索引的框图。

图5是说明根据本发明的数个实施例的第一级索引寻址的框图。

图6是说明根据本发明的数个实施例的第一类型的第二级索引寻址的框图。

图7是说明根据本发明的数个实施例的第二类型的第二级索引寻址的框图。

图8是说明根据本发明的数个实施例的第三类型的第二级索引寻址的框图。

图9是说明根据本发明的数个实施例的热及冷逻辑到物理表片段的测量间隔的时间线。

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