[发明专利]具有经改善的顶部电极连接件的BAW谐振器

权利要求书

1.一种BAW谐振器，包括：

-底部电极

-压电层

-顶部电极

-间隔件，被布置在所述顶部电极上

-覆盖层，位于所述间隔件上，并且保持与所述顶部电极的空气填充的间隙

-顶部电极连接件，被布置在所述覆盖层上方，以及

-导电路径，连接顶部电极和顶部电极连接件。

2.根据前述权利要求所述的BAW谐振器，

其中所述间隔件是位于有源谐振器区域的边缘上的导电框架，用于提供所述导电路径。

3.根据前述权利要求中任一项所述的BAW谐振器，

其中所述覆盖层是具有释放孔的电介质层

其中有机密封层覆盖所述覆盖层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的BAW谐振器，

其中所述间隔件是位于有源谐振器区域的边缘上的导电框架

其中有机密封层覆盖所述覆盖层

其中顶部金属层被布置在所述密封层的顶部上

其中在间隔件与顶部金属层之间的电接触是由填充有导电填充物的所述密封层制成的，或者是由穿过所述有机密封层的框架状或框架形直通接触制成的，所述有机密封层是电绝缘的。

5.根据前述权利要求中任一项所述的BAW谐振器，

其中压电层、顶部电极、间隔件和密封层被结构化为具有相同的第一底面积

其中所述底部电极具有比所述第一底面积大的第二底面积，以使得能够使用所述底部电极作为蚀刻停止层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的BAW谐振器，

-其中多个相似的BAW谐振器被一个接一个地布置在公共基底上

-其中在所述BAW谐振器中的每个BAW谐振器与所述基底之间布置有布拉格反射镜

-其中在所述BAW谐振器中的每个BAW谐振器之下的所述底部电极和所述布拉格反射镜被结构化，并且因此彼此电隔离

-其中在所述基底上的所述BAW谐振器之间的所述空间填充有填充物电介质

-其中所述填充物电介质具有平面化表面

-其中所述顶部电极连接件被布置在所述填充物电介质的所述平面化表面的顶部上。

7.根据前述权利要求中任一项所述的BAW谐振器，

包括位于所述顶部电极的顶部上的横向结构，所述横向结构向内邻近所述导电框架，所述横向结构主要具有恒定的截面，并且适于限制和形成所述主模。

8.一种形成BAW谐振器的方法，包括

A)通过沉积和结构化高阻抗层和低阻抗层的交替序列，在基底上布置布拉格反射镜

B)在最顶部的低阻抗层的顶部上形成底部电极层，并且结构化所述底部电极层

C)在所述底部电极上沉积压电层

D)在所述压电层上沉积和结构化顶部电极层

E)在围绕所述BAW谐振器的有源区域的边缘区域中的所述顶部电极层上，形成框架状导电间隔件

F)在所述间隔件上形成覆盖层，所述覆盖层保持与所述顶部电极层的空气填充的间隙

G)通过在所述覆盖层上方沉积和结构化金属层，形成顶部电极连接件。

9.根据前述权利要求所述的方法，包括

在步骤E)之后的步骤

E1)沉积和结构化牺牲层(OS)

F1)在所述牺牲层上形成所述覆盖层

F2)在所述覆盖层中形成释放孔

F3)通过干法蚀刻或湿法蚀刻、或溶解在溶剂中，通过所述释放孔去除所述牺牲层

F4)在所述覆盖层上沉积密封层

G)通过沉积和结构化与所述间隔件具有电接触的金属层，在所述覆盖层上方形成顶部电极连接件。