[发明专利]用于确定至少一个对象的位置的检测器有效
申请号: | 201980050602.9 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN112513566B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | C·M·奥古恩;B·舍瓦;R·森德;I·布鲁德 | 申请(专利权)人: | 特里纳米克斯股份有限公司 |
主分类号: | G01B11/14 | 分类号: | G01B11/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 王英杰;杨晓光 |
地址: | 德国莱茵河*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 至少 一个 对象 位置 检测器 | ||
1.一种用于确定至少一个对象(112)的位置的检测器(110),所述检测器(110)包括:
-至少一个二向色滤波器(130);
-至少两个光学传感器(114),其中,所述至少两个光学传感器(114)中的每一个具有至少一个光敏区域(116),其中,所述至少两个光学传感器(114)中的每一个被设计为响应于由已经穿过所述二向色滤波器(130)的光束(120)对其光敏区域(116)的照射,来生成至少一个传感器信号,其中,所述至少两个光学传感器(114)中的至少一个被配置为生成第一光子比深度传感器信号,并且所述至少两个光学传感器(114)中的至少一个被配置为生成第二光子比深度传感器信号;
-至少一个评价装置(134)被配置用于确定第一传感器信号和第二传感器信号,所述第一传感器信号响应于由具有至少一个第一波长的光束(120)造成的照射而生成,所述第二传感器信号响应于由具有至少一个第二波长的光束(120)造成的照射而生成,其中,所述评价装置(134)被配置用于通过评价来自所述第一传感器信号和所述第二传感器信号的组合信号Λ来确定所述对象的至少一个纵坐标z,所述评价装置(134)被配置用于通过评价来自所述第一光子比深度传感器信号和第二光子比深度传感器信号的组合光子比深度信号Q来确定所述对象的纵坐标zDPR。
2.根据前述权利要求1所述的检测器(110),其中,所述二向色滤波器(130)具有波长相关和角相关透射光谱,其中,所述二向色滤波器(130)具有从5nm/30°直到100nm/30°的角相关性。
3.根据权利要求2所述的检测器(110),所述二向色滤波器(130)具有从7nm/30°直到80nm/30°的角相关性。
4.根据权利要求3所述的检测器(110),所述二向色滤波器(130)具有从9nm/30°直到50nm/30°的角相关性。
5.根据前述权利要求1-4中的任一项所述的检测器(110),其中,所述检测器(110)还包括照明源(122),其被配置用于用具有至少两个不同波长的至少一个光束照射所述对象。
6.根据前述权利要求1所述的检测器(110),其中,所述检测器(110)包括至少一个传送装置(126),其响应于从所述对象(112)传播到所述检测器(110)的至少一个光束(120)而具有至少一个焦距。
7.根据前述权利要求1所述的检测器(110),其中,所述评价装置(134)被配置用于使用所述组合信号Λ与所述纵坐标之间的至少一个预定关系以用于确定所述纵坐标。
8.根据前述权利要求1所述的检测器(110),其中,所述评价装置(134)被配置用于通过以下各项中的一项或多项导出所述组合信号Λ:除所述第一传感器信号和所述第二传感器信号、除所述第一传感器信号和所述第二传感器信号的倍数、除所述第一传感器信号和所述第二传感器信号的线性组合。
9.根据前述权利要求1所述的检测器(110),其中,所述评价装置(134)被配置用于确定所述第一传感器信号的第一辐射强度和所述第二传感器信号的第二辐射强度,其中,所述评价装置被配置用于确定所述第一辐射强度和所述第二辐射强度的比以用于导出所述组合信号Λ。
10.根据权利要求1所述的检测器(110),其中,所述检测器(110)包括至少两个光学传感器(114),其中,所述光学传感器(114)是二分电池、分割电极PSD或象限二极管的部分二极管。
11.根据前述权利要求1中的任一项所述的检测器(110),其中,所述检测器(110)包括至少两个光学传感器(114),其中,所述光学传感器(114)包括至少一个CMOS传感器。
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