[发明专利]磁隧道结磁阻设备在审
| 申请号： | 201980050633.4 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112514091A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | R·韦格;池川纯夫;J·斯劳特;M·特瑞恩;王晨晨;G·K·拉简 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 设备 | ||
1.一种磁阻设备，包括：
隧道势垒区域；
位于所述隧道势垒区域的一侧上的磁性固定区域；
位于所述隧道势垒区域的相对侧上的无磁区域；以及
位于所述磁性固定区域和所述隧道势垒区域之间的一个或多个过渡区域，其中所述一个或多个过渡区域至少包括第一过渡区域和第二过渡区域，并且其中第一过渡区域包括非铁磁过渡金属，并且第二过渡区域包括包含铁和硼的合金。
2.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第一过渡区域包括钽、钛、钨、钌、铌、锆或钼中的至少一种。
3.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第一过渡区域包括钽。
4.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第一过渡区域包括基本上纯钽。
5.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第二过渡区域包括铁-硼合金(FeB)。
6.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第二过渡区域包括硼浓度大于或等于50原子百分比的铁-硼合金(FeB)。
7.如权利要求1所述的磁致电阻设备，其中第二过渡区域包括硼浓度大于或等于60原子百分比的铁-硼合金(FeB)。
8.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第一过渡区域的厚度为大约至大约并且第二过渡区域的厚度为大约至大约
9.如权利要求8所述的磁阻设备，其中第一过渡区域包括钽，并且第二过渡区域包括具有约50原子百分比的硼的铁-硼合金(Fe50B50)。
10.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第二过渡区域位于第一过渡区域和所述隧道势垒区域之间。
11.如权利要求1所述的磁阻设备，其中第一过渡区域位于第二过渡区域和所述隧道势垒区域之间。
12.如权利要求1所述的磁阻设备，还包括位于所述一个或多个过渡区域和所述隧道势垒区域之间的参考区域，其中
所述参考区域包括铁、钴以及硼和钽之一或两者的合金，并且
所述一个或多个过渡区域中的第一过渡区域或第二过渡区域中的一个与所述磁性固定区域形成界面。
13.如权利要求1所述的磁阻设备，其中所述磁性固定区域包括合成反铁磁(SAF)结构。
14.一种磁阻设备，包括：
隧道势垒区域；
位于所述隧道势垒区域的一侧上的磁性固定区域，所述磁性固定区域包括合成反铁磁(SAF)结构；
位于所述隧道势垒区域的相对侧上的无磁区域；以及
位于所述磁性固定区域和所述隧道势垒区域之间的一个或多个过渡区域，其中所述一个或多个过渡区域至少包括
第一过渡区域，包含钽，以及
第二过渡区域，包含硼浓度大于或等于50原子百分比的铁硼-合金(FeB)。
15.如权利要求14所述的磁阻设备，其中第一过渡区域包括基本上纯钽，并且第二过渡区域包括具有约50原子百分比的硼的铁-硼合金(Fe50B50)。
16.如权利要求14所述的磁阻设备，其中第二过渡区域包括硼浓度大于或等于60原子百分比的铁-硼合金(FeB)。
17.如权利要求14所述的磁阻设备，其中第一过渡区域的厚度为大约至大约并且第二过渡区域的厚度为大约至大约
18.如权利要求14所述的磁阻设备，其中第二过渡区域位于第一过渡区域和所述隧道势垒区域之间。
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