[发明专利]高频部件在审
申请号: | 201980050757.2 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN112514157A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 马丁·希茨勒;温弗里德·迈尔 | 申请(专利权)人: | 恩德莱斯和豪瑟尔欧洲两合公司 |
主分类号: | H01P5/02 | 分类号: | H01P5/02;H01P5/08;H01P5/107;H01Q1/22 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 赵晓祎;戚传江 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 部件 | ||
1.一种高频部件,包括:
半导体部件(10),所述半导体部件(10)被设计成生成和/或处理高频电信号(sHF、rHF),
耦合元件(11),所述耦合元件(11)与所述半导体部件(10)电接触,以便将所述高频电信号(sHF)作为雷达信号(SHF)耦合到
中空导体(12)中,和/或将来自所述中空导体(12)的雷达信号(RHF)作为电信号(rHF)耦合到所述半导体部件(10)中,
其特征在于,
在所述耦合元件(11)和所述中空导体(12)之间的电流接触(13)。
2.根据权利要求1所述的高频部件,其中,所述耦合元件(11)具有至少200μm的厚度。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的高频部件,其中,为了传输所述高频电信号(sHF、rHF),所述半导体部件(10)和所述耦合元件(11)通过焊接连接部(14),尤其是球栅阵列,接触。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的高频部件,其中,所述半导体部件(10)由浇铸封装件(16)封装。
5.根据权利要求4所述的高频部件,其中,以如下方式封装所述半导体部件(10),即:使得所述半导体部件在朝向所述耦合元件(11)的接触表面处不具有浇铸料(16),和/或使得所述耦合元件(11)在朝向所述中空导体的所述电流接触表面(13)处不具有浇铸料(16)。
6.根据权利要求4所述的高频部件,其中,所述耦合元件(11)被设计为所述浇铸封装件(16)的一体部件。
7.根据权利要求1到5所述的高频部件,其中,所述耦合元件(11)由衬底,尤其是基于玻璃或基于陶瓷的衬底,制成,并且其中,所述耦合元件(11)至少包括:
-第一金属化层(110),所述第一金属化层(110)用于所述中空导体(12)的电流接触(13),
-第二金属化层(111),
-第一电通孔(112),所述第一电通孔(112)使所述半导体部件(10)与所述第一金属化层(110)接触;以及
-第二电通孔(113),所述第二电通孔(113)在所述第一金属化层(110)和所述第二金属化层(112)之间。
8.根据权利要求7所述的高频部件,其中,所述第一通孔(111)以如下方式沿着内部准封闭轮廓设置,即:使得所述雷达信号(SHF、RHF)在所述耦合元件(11)中主要以所限定的基本模式、尤其是TE10模式引导,并且其中,
所述第二通孔(113)以如下方式沿着外部准封闭轮廓设置,即:使得所述高频电信号(sHF、rHF)指向所述中空导体(12)的轴线方向或者从所述方向指向到所述金属化层(110、112)的平面中。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的高频部件,其中,所述半导体部件(10)和所述中空导体(12)设置在印刷电路板衬底(15)的第一表面(151)上,并且其中,所述耦合元件(11)设置在所述半导体部件(10)的背离所述印刷电路板衬底(15)的表面(101)上。
10.根据权利要求1到8中的一项所述的高频部件,其中,所述耦合元件(11)设置在所述印刷电路板衬底(15)的所述第一表面(151)上,其中,
所述半导体部件(10)设置在所述耦合元件(11)的背离所述印刷电路板衬底(15)的表面(115)上,并且其中,
所述中空导体(12)紧固到所述印刷电路板衬底(15)的背离所述耦合元件(11)的第二表面(152)上,并且其中,
所述中空导体(12)通过所述印刷电路板(15)中的开口(153)与所述耦合元件(11)接触。
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