[发明专利]高频部件

权利要求书

1.一种高频部件，包括：

半导体部件(10)，所述半导体部件(10)被设计成生成和/或处理高频电信号(s_HF、r_HF)，

耦合元件(11)，所述耦合元件(11)与所述半导体部件(10)电接触，以便将所述高频电信号(s_HF)作为雷达信号(S_HF)耦合到

中空导体(12)中，和/或将来自所述中空导体(12)的雷达信号(R_HF)作为电信号(r_HF)耦合到所述半导体部件(10)中，

其特征在于，

在所述耦合元件(11)和所述中空导体(12)之间的电流接触(13)。

2.根据权利要求1所述的高频部件，其中，所述耦合元件(11)具有至少200μm的厚度。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的高频部件，其中，为了传输所述高频电信号(s_HF、r_HF)，所述半导体部件(10)和所述耦合元件(11)通过焊接连接部(14)，尤其是球栅阵列，接触。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的高频部件，其中，所述半导体部件(10)由浇铸封装件(16)封装。

5.根据权利要求4所述的高频部件，其中，以如下方式封装所述半导体部件(10)，即：使得所述半导体部件在朝向所述耦合元件(11)的接触表面处不具有浇铸料(16)，和/或使得所述耦合元件(11)在朝向所述中空导体的所述电流接触表面(13)处不具有浇铸料(16)。

6.根据权利要求4所述的高频部件，其中，所述耦合元件(11)被设计为所述浇铸封装件(16)的一体部件。

7.根据权利要求1到5所述的高频部件，其中，所述耦合元件(11)由衬底，尤其是基于玻璃或基于陶瓷的衬底，制成，并且其中，所述耦合元件(11)至少包括：

-第一金属化层(110)，所述第一金属化层(110)用于所述中空导体(12)的电流接触(13)，

-第二金属化层(111)，

-第一电通孔(112)，所述第一电通孔(112)使所述半导体部件(10)与所述第一金属化层(110)接触；以及

-第二电通孔(113)，所述第二电通孔(113)在所述第一金属化层(110)和所述第二金属化层(112)之间。

8.根据权利要求7所述的高频部件，其中，所述第一通孔(111)以如下方式沿着内部准封闭轮廓设置，即：使得所述雷达信号(S_HF、R_HF)在所述耦合元件(11)中主要以所限定的基本模式、尤其是TE₁₀模式引导，并且其中，

所述第二通孔(113)以如下方式沿着外部准封闭轮廓设置，即：使得所述高频电信号(s_HF、r_HF)指向所述中空导体(12)的轴线方向或者从所述方向指向到所述金属化层(110、112)的平面中。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的高频部件，其中，所述半导体部件(10)和所述中空导体(12)设置在印刷电路板衬底(15)的第一表面(151)上，并且其中，所述耦合元件(11)设置在所述半导体部件(10)的背离所述印刷电路板衬底(15)的表面(101)上。

10.根据权利要求1到8中的一项所述的高频部件，其中，所述耦合元件(11)设置在所述印刷电路板衬底(15)的所述第一表面(151)上，其中，

所述半导体部件(10)设置在所述耦合元件(11)的背离所述印刷电路板衬底(15)的表面(115)上，并且其中，

所述中空导体(12)紧固到所述印刷电路板衬底(15)的背离所述耦合元件(11)的第二表面(152)上，并且其中，

所述中空导体(12)通过所述印刷电路板(15)中的开口(153)与所述耦合元件(11)接触。