[发明专利]同时具备中子和γ/X射线探测的晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括：

根据反应方程式(1)或(2)，对式中各反应物料按摩尔比对所述反应物料进行称重：

(1-x-z)Lu₂O₃+SiO₂+2xCeO₂+zGd₂O₃→Lu_2(1-x-z)Ce_2xGd_2zSiO₅+x/2O₂↑ (1)

(1-x-y-z)Lu₂O₃+yY₂O₃+SiO₂+2xCeO₂+zGd₂O₃→Lu_2(1-x-y-z)Y_2yCe_2xGd_2zSiO₅+x/2O₂↑ (2)

其中，x＝0.16％，y＝10％，z＝0.1％，所述SiO₂过量自身重量0.01％-10％；

对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后，将反应物料置于所述晶体生长装置内；

所述晶体生长装置密闭后内部通入氮气；

启动所述晶体生长装置，基于上提拉法，生长晶体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体生长装置的至少一个部件包括埚；所述装配前处理至少包括以下一种或多种：

对所述埚进行酸液泡洗；

检测所述埚的上沿与所述晶体生长装置中感应线圈正后方上沿的垂直间距是否在0至±50mm之内，“+”表示所述埚的上沿高于所述感应线圈上沿，“-”表示所述埚的上沿低于所述感应线圈上沿；或

清洁所述埚中异物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通入的氮气的流量为30L/min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加入籽晶，所述籽晶至少包括掺铈的硅酸(钇)镥、掺镧的硅酸(钇)镥、掺镨的硅酸(钇)镥或掺钕的硅酸(钇)镥中的一个。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在晶体生长过程中，在所述反应物料熔化过程中保持所述籽晶与所述反应物料的上表面5-15mm的距离或一段预设的距离。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在调温过程中控制提拉杆以使所述籽晶下沉至反应物料熔体液面下方0.1-50mm，恒温至少0.1-1小时后向上提拉。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在晶体生长过程中所述晶体生长装置的提拉杆的转速为0.01-35rpm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在晶体生长过程中所述晶体的生长速度为0.01-6mm/h。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长晶体包括放肩过程，在所述放肩过程中放肩角度为30-70度，肩部长度为40-90mm。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述放肩过程中等径长度为10-200mm。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长晶体包括收尾过程，在所述收尾过程中收尾角度为30-70度，收尾长度为40-90mm。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体生长过程的一个或以上步骤由PID(proportional–integral–derivative)控制器控制，所述一个或以上步骤包括缩颈、放肩、等径、收尾、降温中的至少一个。