[发明专利]耦合到多个感测晶体管的功率晶体管

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

第一半导体管芯；

功率晶体管，其集成在所述第一半导体管芯中，所述功率晶体管包括第一栅极、第一端子和第二端子；

第一感测晶体管，其集成在所述第一半导体管芯中，所述第一感测晶体管包括第二栅极、第三端子和第四端子，所述第二栅极耦合到所述第一栅极，并且所述第四端子耦合到所述第二端子；

第一电阻器，其集成在所述第一半导体管芯中，所述第一电阻器具有第一温度系数，所述第一电阻器包括第五端子和第六端子，其中所述第三端子耦合到所述第五端子；

第二感测晶体管，其集成在所述第一半导体管芯中，所述第二感测晶体管包括第三栅极、第七端子和第八端子，所述第三栅极耦合到所述第一栅极，并且所述第八端子耦合到所述第二端子；以及

第二电阻器，其集成在所述第一半导体管芯中，所述第二电阻器具有第二温度系数，所述第二电阻器包括第九端子和第十端子，其中所述第七端子耦合到所述第九端子。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中：

所述第一端子是所述功率晶体管的源极；

所述第二端子是所述功率晶体管的漏极；

所述第三端子是所述第一感测晶体管的源极；

所述第四端子是所述第一感测晶体管的漏极；

所述第七端子是所述第二感测晶体管的源极；以及

所述第八端子是所述感测晶体管的漏极。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述功率晶体管、所述第一感测晶体管和所述第二感测晶体管均为n型金属氧化物半导体场效应晶体管即nMOSFET。

4.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述功率晶体管、所述第一感测晶体管和所述第二感测晶体管均为p型金属氧化物半导体场效应晶体管即pMOSFET。

5.根据权利要求1所述的电子设备，还包括控制器单元，所述控制器单元包括：

第一节点，其耦合到所述第一电阻器的所述第六端子；

第二节点，其耦合到所述第二电阻器的所述第十端子；和

第三节点，其耦合到所述功率晶体管的所述第一端子。

6.根据权利要求5所述的电子设备，还包括：

第二半导体管芯，其中所述控制器单元被集成在所述第二半导体管芯中。

7.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述控制器被配置为提供从所述第六端子到所述第一端子的虚拟连接以及从所述第十端子到所述第一端子的虚拟连接。

8.根据权利要求5所述的电子设备，所述控制器被配置为维持在所述第一节点处的第一电压，所述第一电压与在所述第二节点处的第二电压和在所述第三节点处的第三电压基本上相等。

9.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述控制器被配置为产生第一感测电流和第二感测电流，并且还被配置为使用所述第一感测电流和所述第二感测电流来计算期望的感测电流值，其中，所述期望的感测电流是在所述第一端子和所述第二端子之间流动的电流的按比例缩小版本。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一温度系数和所述第二温度系数的大小不同。