[发明专利]确定图案化的高深宽比结构阵列中的倾斜角度在审
申请号: | 201980051195.3 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN112602184A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 威廉·迪恩·汤普森;瑞吉斯·约瑟夫·克兰;丹尼尔·F·森戴;吴文丽;奥斯曼·索卡比;张晋;陈晓书 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司;以商务部国家标准与技术研究院院长为代表的美利坚合众国政府 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G03F7/20;G01N23/201;G01N21/95 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 图案 高深 结构 阵列 中的 倾斜 角度 | ||
1.一种方法,其包括:
用x射线辐射照射包括结构阵列的样品,使得所述样品散射所述x射线辐射;
使所述样品旋转通过围绕第一测量轴的一系列角位置;
在每个角位置,检测所散射的所述辐射的强度的图案;以及
基于所述强度的图案的对称性确定所述结构在第一平面中的平均倾斜度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在没有参考模型的情况下确定所述平均倾斜度。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述平均倾斜度的大小和方向。
4.根据权利要求1所述的方法,其还包括:
使所述样品旋转通过围绕第二测量轴的一系列角位置;在每个角位置,检测所散射的所述辐射的强度的图案;
基于所述强度的图案的对称性,确定所述结构的所述图案在第二平面中的平均倾斜度。
5.根据权利要求4所述的方法,其还包括根据所述第一平面中的所述平均倾斜度和所述第二平面中的所述平均倾斜度来确定平均总体倾斜度。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一轴和第二轴是正交的。
7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一轴和第二轴不是正交的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其还包括在使所述样品旋转通过所述一系列角位置之前,使所述样品围绕与所述第一测量轴正交的轴旋转角度χ。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,基于所述强度的图案的对称性确定所述结构的图案在第一平面中的平均倾斜度包括:将所述强度的图案的右侧的峰强度与所述强度的图案的左侧的峰强度进行比较。
10.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法,其中,基于所述强度的图案的对称性确定所述HAR结构的图案在第一平面中的平均倾斜度包括:绘制GOS与样品角的关系图,其中GOS通过下式给出:
其中有n个峰。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,基于所述强度的图案的对称性确定所述结构的图案在第一平面中的平均倾斜度包括:确定所述强度的图案对称时的所述样品角。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,将所述平均倾斜度确定为至少0.05°的分辨率。
13.一种方法,其包括:
用x射线辐射照射包括结构阵列的样品,使得所述样品散射所述x射线辐射;
使所述样品旋转通过围绕第一测量轴的一系列角位置;
在每个角位置,检测所散射的所述辐射的强度的图案;以及
基于所述强度的图案的对称性确定所述结构是否被表征为倾斜度、非竖直侧壁角、翘曲或扭结中的一者或多者。
14.一种方法,其包括:
用x射线辐射照射包括结构阵列的样品,使得所述样品散射所述x射线辐射;
使所述样品旋转通过围绕第一测量轴的一系列角位置;
在每个角位置,检测所散射的所述辐射的强度的图案;以及
确定所述结构阵列中是否存在任何不对称性。
15.一种装置,其包括:
被配置为保持样品的样品保持器;
定位系统,其连接到所述样品保持器并且被配置为沿一个或多个测量轴旋转所述样品;
x射线源,其被配置为用x射线照射所述样品,使得所述样品散射辐射;
检测器,其被定位成检测所散射的所述辐射的强度;
控制器,其被配置为控制所述x射线源、所述定位系统和所述检测器的操作以:i)照射所述样品,使得所述样品散射所述x射线辐射,ii)使所述样品旋转通过围绕第一测量轴的一系列角位置,iii)在每个角位置,检测所散射的所述辐射的强度的图案;以及
分析系统,其被配置为基于所述强度的图案的对称性确定所述结构是否被表征为倾斜度、非竖直侧壁角、翘曲或扭结中的一者或多者。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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