[发明专利]用于确定在衬底上的一个或更多个结构的特性的量测设备和方法在审
申请号: | 201980051246.2 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN112513742A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | P·A·J·廷尼曼斯;帕特里克·华纳;V·T·滕纳;M·范德斯卡 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 衬底 一个 更多 结构 特性 设备 方法 | ||
1.一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法,所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构,所述方法包括:
确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场;
确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二电场;和
按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉,以获得按计算方式确定的干涉电场。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述按计算方式确定的步骤包括:组合第一电场与第二电场;并且
其中可选地,所述组合第一电场与第二电场包括:对第一电场与第二电场求和。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述按计算方式确定的步骤包括:使用散射模型或逆散射模型对第一电场和第二电场的干涉进行建模。
4.一种根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述方法包括:
执行所述第一辐射和第二辐射的强度测量;和
确定与所述第一辐射和第二辐射相关的相位信息,以及
其中可选地,所述相位信息至少包括第一辐射与第二辐射之间的相对相位。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述强度测量包括所述第一辐射和第二辐射的较高衍射阶的强度测量,并且所述确定相位信息包括:依据所述强度测量执行相位获取确定。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述相位获取包括针对第一结构和第二结构中的每个结构执行:
对入射照射辐射与所述结构之间的相互作用对散射辐射的影响进行建模,以获得针对检测平面处的相位和强度的建模值;和
优化第一电场或第二电场中的相对应的一个电场的相位和强度,以便最小化建模强度与检测到的所述强度测量的结果之间的差异。
7.根据权利要求4所述的方法,其中所述确定相位信息包括:基于已知参考场执行所述第一辐射和第二辐射的较高衍射阶的全息显微术测量。
8.根据任一前述权利要求所述的方法,其中分开地检测所述第一辐射的至少一部分和至少所述第二辐射的一部分。
9.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述第一结构和所述第二结构至少部分地在入射照射辐射的方向上叠置;以及
其中可选地,所述第一结构和第二结构中的一个结构大于另一个结构和/或相对于另一个结构偏移,以便使得能够在单次采集中捕获所述第一辐射和所述第二辐射的强度测量的结果。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中以下各项之一:
-所述第一结构和所述第二结构在入射照射辐射的方向上不叠置,并且所述第一结构和所述第二结构在所述衬底的平面中的分隔距离不大于用以照射所述一对结构以获得所述第一辐射和第二辐射的入射辐射的空间相干长度;
-其中所述第一结构和所述第二结构在入射照射辐射的方向上不叠置,并且所述第一结构和所述第二结构在平行于所述衬底的平面中的分隔距离大于用以照射所述一对结构以获得所述第一辐射和第二辐射的入射辐射的空间相干长度,所述衬底包括介于所述第一结构与所述第二结构之间的一个或更多个辅助参考结构,使得所述第一结构、所述第二结构和所述一个或更多个辅助参考结构的相邻结构之间的分隔不大于用以照射所述一对结构以获得所述第一辐射和第二辐射的入射辐射的空间相干长度。
11.根据任一前述权利要求所述的方法,所述方法包括:依据所述按计算方式确定的干涉电场确定与所述一对结构相关的关注的特性;并且
其中可选地,所述关注的特性包括对所述第一结构与第二结构之间的相对横向位移进行描述的重叠。
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