[发明专利]用于处理腔室的涂层材料

权利要求书

1.一种处理腔室部件，包括：

介电主体，所述介电主体具有第一表面；

电极，所述电极设置在所述介电主体内；以及

高电阻率层，其中所述高电阻率层设置在所述介电主体的所述第一表面上，其中所述高电阻率层具有在约1×10⁹欧姆厘米至约1×10¹⁷欧姆厘米之间的电阻率。

2.如权利要求1所述的处理腔室部件，其中所述电极在所述介电主体的所述第一表面下方小于或等于1毫米的位置。

3.如权利要求1所述的处理腔室部件，进一步包括工艺配件堆栈，所述工艺配件堆栈具有顶介电间隔件、侧电极、和底介电间隔件。

4.如权利要求1所述的处理腔室部件，其中所述高电阻率层具有在约1微米至约20微米之间的厚度。

5.如权利要求1所述的处理腔室部件，其中所述高电阻率层具有在约3至约10之间的介电常数。

6.如权利要求5所述的处理腔室部件，其中所述介电常数在约3.4至约4.0之间。

7.如权利要求1所述的处理腔室部件，其中所述电阻率为约1×10¹³欧姆厘米。

8.一种处理腔室，包括：

工艺配件堆栈，所述工艺配件堆栈具有内表面，其中所述内表面面向腔室主体内的处理区域；

导热支撑件，其中所述导热支撑件包括：

介电主体，所述介电主体包括顶表面，其中所述顶表面被配置成支撑基板；以及

电极，所述电极设置在所述介电主体内；以及

高电阻率层，其中所述高电阻率层设置在所述至少一个工艺配件的所述内表面上和在所述介电主体的所述顶表面上，其中所述高电阻率层具有在1×10⁹欧姆厘米至1×10¹⁷欧姆厘米之间的电阻率。

9.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述电极在所述介电主体的所述顶表面下方小于或等于1毫米的位置。

10.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述工艺配件堆栈包括顶介电间隔件、底介电间隔件、以及侧电极，所述侧电极设置在所述顶介电间隔件和底介电间隔件之间。

11.如权利要求8所述的处理腔室，进一步包括边缘环，所述边缘环具有底表面，其中所述边缘环设置在所述介电主体的所述顶表面上，并且所述高电阻率层设置在所述介电主体的所述顶表面与所述边缘环的所述底表面之间。

12.一种用于制造用于在处理环境中使用的腔室部件的方法，包括：

形成所述腔室部件的主体；

将所述腔室部件安装到处理腔室中；

原位地在所述主体的所述表面上沉积高电阻率层，其中施加在约50毫托至约20托之间的压力、施加在约10瓦特至约3000瓦特之间的功率、施加在约50摄氏度至约1100摄氏度之间的温度、以在约2sccm至约20000sccm之间的气体流速施加含硅气体、以在约2sccm至约30000sccm之间的气体流速施加含氧气体、并且以在约10sccm至约20000sccm之间的流速施加惰性气体；以及

在所述处理腔室中执行沉积工艺。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述高电阻率层具有在约1微米至约20微米之间的介电厚度。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述高电阻率层具有在约3至约10之间的介电常数。

15.如权利要求12所述的方法，其中所述高电阻率层的电阻率在约1×10⁹欧姆厘米至约1×10¹⁷欧姆厘米之间。