[发明专利]结构特性预测系统、成像器系统及相关方法有效
申请号: | 201980051438.3 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN112534246B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | A·马宗达;刘茜岚;P·拉马钱德兰;S·D·利奥史密斯;S·K·麦坎德利斯;T·L·泰勒;A·N·诺埃曼恩;G·A·哈勒 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/88;G06T7/00;G06N20/00;G06F30/20;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 特性 预测 系统 成像 相关 方法 | ||
1.一种预测晶片批次的虚拟计量数据的方法,其包括:
从成像器系统接收第一图像数据,所述第一图像数据与至少一个第一晶片批次有关;
从计量设备接收与所述至少一个第一晶片批次有关的所测量计量数据;
向所述第一图像数据和所述所测量计量数据应用一或多个机器学习技术以产生至少一个用于预测晶片批次的虚拟计量数据或虚拟单元度量数据中的至少一个的预测性模型;
利用所述至少一个产生的预测性模型产生所述至少一个第一晶片批次的第一虚拟计量数据或第一虚拟单元度量数据中的至少一个;
从所述成像器系统接收第二图像数据,所述第二图像数据与至少一个第二晶片批次有关;以及
经由所述至少一个产生的预测性模型基于所述第二图像数据产生所述第二晶片批次的第二虚拟计量数据或第二虚拟单元度量数据中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括不接收所述第二晶片批次的所测量计量数据。
3.根据权利要求1所述的方法,其中经由所述预测性模型产生所述第二晶片批次的第二虚拟计量数据或所述第二虚拟单元度量数据中的所述至少一个包括在不接收与所述至少一个第二晶片批次有关的所测量计量数据的情况下,产生所述第二虚拟计量数据或所述第二虚拟单元度量数据中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的方法,其进一步包括:
接收与所述至少一个第二晶片批次有关的所测量计量数据;以及
利用与所述至少一个第二晶片批次有关的所述所测量计量数据验证所述至少一个产生的预测性模型。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括将所述至少一个第一晶片批次的所述所测量计量数据筛选到训练计量数据和验证计量数据中。
6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括将与所述至少一个第一晶片批次有关的所述第一图像数据筛选到训练图像数据、验证图像数据和无计量图像数据中。
7.一种预测晶片批次的虚拟计量数据的方法,其包括:
从成像器系统接收第一图像数据,所述第一图像数据与至少一个第一晶片批次有关;
从计量设备接收所述至少一个第一晶片批次的所测量计量数据;
利用所述第一图像数据和所述所测量计量数据训练机器学习模型;
向所述第一图像数据和所述所测量计量数据应用一或多个机器学习技术以产生至少一个用于预测晶片批次的虚拟计量数据或虚拟单元度量数据中的至少一个的预测性模型;
从所述成像器系统接收第二图像数据,所述第二图像数据与至少一个第二晶片批次有关;以及
经由所述至少一个产生的预测性模型基于所述第二图像数据产生所述第二晶片批次的第二虚拟计量数据或第二虚拟单元度量数据中的至少一个。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述一或多个机器学习技术选自由以下组成的列表:二次回归分析、逻辑回归分析、支持向量机、高斯过程回归、集合模型、任何其它回归分析、决策树学习、回归树、增强树、梯度增强树、多层感知器、一对一、朴素贝叶斯、k最近邻、关联规则学习、神经网络、深度学习和图案辨识。
9.根据权利要求7所述的方法,其中所述第二虚拟计量数据包括与所述至少一个第二晶片批次内的晶片的特征的厚度和临界尺寸有关的数据。
10.根据权利要求7所述的方法,其中所述第二虚拟单元度量数据包括与以下有关的数据:给定裸片的中值阈值电压、给定裸片内阈值电压的变化、给定裸片的操作电压窗口、对给定裸片的读取和/或写入周期的耐久性、给定裸片的寿命、给定裸片内存储器的持久性或将给定裸片分为不同产品等级的分仓。
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