[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

延伸在第一方向上的多个第一布线；

多个氧化物层；

第一存储元件群；以及

第二存储元件群，

其中，所述多个第一布线包括：

与所述第一存储元件群重叠的区域；以及

与所述第二存储元件群重叠的区域，

所述多个氧化物层中之一包括沿着所述第一布线中之一的侧面延伸的区域，

所述第一存储元件群和所述第二存储元件群包括多个存储元件，

所述多个存储元件的每一个都包括晶体管及电容器，

在所述多个存储元件的每一个中，

所述晶体管的栅电极与所述多个第一布线中之一电连接，

所述晶体管的半导体层包括与所述多个氧化物层中之一接触的区域，

并且，配置在所述第一存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极与配置在所述第二存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极之间的最短距离为3.5μm以下。

2.根据权利要求1的存储装置，

其中所述最短距离为2.3μm以下。

3.根据权利要求1或权利要求2的存储装置，

其中包括延伸在第二方向上的多个第二布线,

并且在所述多个存储元件的每一个中，所述晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述多个第二布线中的一个电连接。

4.根据权利要求3的存储装置，

其中在所述多个存储元件的每一个中，所述晶体管的源电极和漏电极中的另一个与所述电容器电连接。

5.权利要求1至权利要求4中任一项的存储装置，

其中所述多个氧化物层中之一包括隔着绝缘层与所述第一布线中之一重叠的区域。

6.权利要求1至权利要求5中任一项的存储装置，

其中所述氧化物层包含铟和锌中的一个或两个。

7.权利要求1至权利要求6中任一项的存储装置，

其中所述半导体层包含铟和锌中的一个或两个。

8.权利要求1至权利要求7中任一项的存储装置，还包括延伸在第一方向上的多个第三布线，

其中所述多个第三布线中的一个包括与所述多个第一布线中的一个彼此重叠的区域。

9.一种存储装置，包括：

延伸在第一方向上的多个第一布线；

多个氧化物层；

第一存储元件群；

第二存储元件群；以及

第一区域，

其中，所述多个第一布线包括：

与所述第一存储元件群重叠的区域；

与所述第二存储元件群重叠的区域；以及

与所述第一区域重叠的区域，

所述多个氧化物层中之一包括沿着所述第一布线中之一的侧面延伸的区域，

所述第一存储元件群和所述第二存储元件群包括多个存储元件，

所述多个存储元件的每一个包括第一晶体管及电容器，

在所述多个存储元件的每一个中，

所述第一晶体管的栅极与所述多个第一布线中之一电连接，

所述第一晶体管的半导体层包括与所述多个氧化物层中之一接触的区域，

所述第一区域包括多个第二晶体管，

在所述多个第二晶体管的每一个中，栅电极与所述多个第一布线中之一电连接，源电极和漏电极中的一个或两个与第四布线电连接，

并且，具有对所述第四布线供应高电源电位的功能。

10.根据权利要求9的存储装置，

其中延伸在第二方向上的多个第二布线,

并且在所述多个存储元件的每一个中，所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述多个第二布线中的一个电连接。

11.根据权利要求10的存储装置，

其中在多个存储元件的每一个中，所述第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个与所述电容器电连接。