[发明专利]用于高通量电荷检测质谱分析的离子阱阵列

权利要求书

1.一种静电线性离子阱（ELIT）阵列，包括：

多个细长电荷检测筒，其端对端布置并且各自限定居中通过其延伸的轴向通路，

多个离子镜结构，每一个都限定一对轴向对准的腔，并且每一个都限定居中延伸通过两个腔的通过所述离子镜结构的轴向通路，其中，所述多个离子镜结构中的不同离子镜结构设置在每个布置成对的所述细长检测筒的相对端之间，以及

前离子镜和后离子镜，其各自限定至少一个腔和居中通过其延伸的轴向通路，所述前离子镜定位在所述多个电荷检测筒的一端处，并且所述后离子镜定位在所述多个电荷检测筒的相对端处，

其中，所述多个电荷检测筒、所述多个离子镜结构、所述前离子镜和所述后离子镜的轴向通路彼此轴向对准，以限定居中穿过所述ELIT阵列的纵向轴线。

2.根据权利要求1所述的ELIT阵列，其中，所述多个离子镜结构中的每一个包括限定单个腔的单个离子镜、在所述离子镜的一端处通向所述单个腔的第一穿孔、在所述离子镜的相对端处并且通向所述单个腔的第二穿孔以及板或环，所述板或环关于所述单个腔居中定位，并且将所述单个腔轴向平分成一对轴向对准的腔，所述板或环限定通过其并且通向两个所述轴向对准的腔的第三穿孔，

以及其中，所述ELIT阵列的纵向轴线居中延伸通过所述多个离子镜结构中的每一个的第一穿孔、第二穿孔、第三穿孔以及一对轴向对准的腔。

3.根据权利要求1所述的ELIT阵列，其中，所述多个离子镜结构中的每一个包括第一离子镜和第二离子镜，所述第一离子镜限定第一腔、在所述第一离子镜的一端处并且通向所述第一腔的第一穿孔以及在所述第一离子镜的相对端处并且通向所述第一腔的第二穿孔，所述第二离子镜限定第二腔、在所述第二离子镜的一端处并且通向所述第二腔的第三穿孔以及在所述第二离子镜的相对端处并且通向所述第二腔的第三穿孔，所述第一离子镜和所述第二离子镜背对背布置，其中，所述第一离子镜的第二穿孔与所述第二离子镜的第三穿孔间隔开并且轴向对准，使得所述第一腔和所述第二腔一起限定所述一对轴向对准的腔，

以及其中，所述ELIT阵列的纵向轴线居中延伸通过第一穿孔至第四穿孔，并且居中通过所述多个离子镜结构中的每一个的所述第一腔和第二腔。

4.根据权利要求3所述的ELIT阵列，其中，所述第一离子镜和所述第二离子镜固定至彼此。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的ELIT阵列，其中，所述前离子镜限定第一腔、在所述前离子镜的一端处通向所述第一腔的第一穿孔、在所述前离子镜的相对端处并且通向所述第一腔的第二穿孔以及板或环，所述板或环关于所述第一腔居中定位，并且将所述第一腔轴向平分成第二和第三轴向对准的腔，所述板或环限定从其穿过并且通向所述第二和第三轴向对准的腔两者的第三穿孔，

以及其中，所述ELIT阵列的纵向轴线居中延伸通过所述前离子镜的第一穿孔、第二穿孔、第三穿孔以及第二和第三轴向对准的腔，

以及其中，所述前离子镜的第一穿孔限定到所述ELIT阵列的离子入口，并且所述前离子镜的第二穿孔与所述多个电荷检测筒的在所述多个电荷检测筒的一端处的电荷检测筒的暴露端相对定位。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的ELIT阵列，其中，所述前离子镜限定单个腔、在所述前离子镜的一端处通向所述前离子镜的单个腔的第一穿孔以及在所述前离子镜的相对端处并且通向所述前离子镜的单个腔的第二穿孔，

以及其中，所述ELIT阵列的纵向轴线居中延伸通过所述第一穿孔和第二穿孔以及通过所述前离子镜的单个腔，

以及其中，所述前离子镜的第一穿孔限定到所述ELIT阵列的离子入口，并且所述前离子镜的第二穿孔与所述多个电荷检测筒在所述多个电荷检测筒的一端处的电荷检测筒的暴露端相对定位。