[发明专利]用于增强质谱系统的鲁棒性和减少污染的RF/DC截止在审
申请号: | 201980051727.3 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN112534548A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·黑格 | 申请(专利权)人: | DH科技发展私人贸易有限公司 |
主分类号: | H01J49/00 | 分类号: | H01J49/00;H01J49/42 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 冯雯 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 增强 谱系 鲁棒性 减少 污染 rf dc 截止 | ||
1.一种质谱系统,包括:
离子源,所述离子源用于生成离子;
离子引导室,所述离子引导室定位在所述离子源的下游用于接收所述离子,所述离子引导室包括:
入口孔口,所述入口孔口用于接收由所述离子源生成的离子;以及
至少一个出口孔口,所述至少一个出口孔口用于将离子从所述离子引导室传输到容纳至少一个质量分析仪的真空室中;
多极离子引导件,所述多极离子引导件设置在所述离子引导室中,所述多极离子引导件包括:
四极杆组,所述四极杆组从与所述入口孔口相邻设置的近侧端向与所述至少一个出口孔口相邻设置的远侧端延伸,所述四极杆组包括第一对杆和第二对杆,其中,每个杆与中央纵向轴线间隔开并与所述中央纵向轴线并排地延伸,
多个辅助电极,所述多个辅助电极与所述中央纵向轴线间隔开并沿着所述四极杆组的至少一部分与所述中央纵向轴线并排地延伸,其中,所述多个辅助电极中的至少一个辅助电极被插置在所述四极杆组中的每个杆之间,使得每个辅助电极与所述第一对杆中的单个杆和所述第二对杆中的单个杆相邻,以及
至少一个电源,所述至少一个电源耦接到所述多极离子引导件,所述至少一个电源可操作以提供
i)处于第一频率并处于第一相位的施加到所述第一对杆的第一RF电压,
ii)处于与所述第一频率相等的第二频率并处于与所述第一相位相反的第二相位的施加到所述第二对杆的第二RF电压,以及
iii)施加到所述辅助电极的多个辅助电信号,所述多个辅助电信号包括:
a)施加到所述辅助电极中的第一对辅助电极的第一DC电压,以及
b)施加到所述辅助电极中的第二对辅助电极的第二DC电压,
其中,所施加的第一DC电压和第二DC电压具有相反的符号。
2.根据权利要求1所述的质谱系统,其中,所施加的第一DC电压和第二DC电压具有基本上相同的幅度。
3.根据权利要求1所述的质谱系统,其中,所述第一对辅助电极和所述第二对辅助电极中的每一对辅助电极包括关于所述中央纵向轴线彼此径向相对布置的两个电极。
4.根据权利要求3所述的质谱系统,其中,所述第一对辅助电极和所述第二对辅助电极被布置为,使得每一对中的每个辅助电极被定位成与另一对中的两个辅助电极相邻。
5.根据权利要求1所述的质谱系统,其中,所述离子引导室被保持在从约1毫托至约30毫托的范围内的压强处。
6.根据权利要求1所述的质谱系统,其中,所述至少一个电源包括:
至少一个RF电压源,所述至少一个RF电压源可操作以向所述第一对杆施加所述第一RF电压并向所述第二对杆施加所述第二RF电压;
至少一个DC电压源,所述至少一个DC电压源可操作以向所述四极杆组中的至少一个施加DC偏移电压,
第一辅助DC电压源,所述第一辅助DC电压源可操作以向所述第一对辅助电极施加DC电压;以及
第二辅助DC电压源,所述第二辅助DC电压源可操作以向所述第二对辅助电极施加DC电压。
7.根据权利要求1所述的质谱系统,其中,所施加的第一辅助DC电压和第二辅助DC电压的幅值与所述DC偏移电压不同。
8.根据权利要求1所述的质谱系统,还包括至少一个控制器。
9.根据权利要求8所述的质谱系统,其中,所述至少一个控制器能够被配置为调整向所述辅助电极施加的第一辅助DC电压和第二辅助DC电压。
10.根据权利要求9所述的质谱系统,其中,所述至少一个控制器能够被配置为相对于施加到所述四极杆组中的至少一个的DC偏移电压调整施加到所述辅助电极的第一辅助DC电压和第二辅助DC电压,从而衰减从所述多极离子引导件传输的离子。
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