[发明专利]摄像装置的工作方法在审
申请号: | 201980051728.8 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN112534802A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 渡边一徳;川岛进 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 工作 方法 | ||
1.一种摄像装置的工作方法,所述摄像装置包括像素,
其中,所述像素包括光电转换元件、第一晶体管、第二晶体管以及电容器,
所述光电转换元件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接,
所述第二晶体管的栅极与所述电容器的一个电极电连接,
并且,所述摄像装置的工作方法包括如下步骤:
在第一期间,向所述电容器的另一个电极供应第一电位且使所述第一晶体管成为开启状态,由此将对应于照射到所述光电转换元件的光的照度的摄像数据写入到所述像素中;以及
在第二期间,向所述电容器的另一个电极供应第二电位,由此从所述像素读出所述摄像数据。
2.根据权利要求1所述的摄像装置的工作方法,
其中在所述第一期间,所述第二晶体管处于关闭状态,
并且在所述第二期间,所述第二晶体管处于开启状态。
3.根据权利要求1或2所述的摄像装置的工作方法,
其中所述第二晶体管为n沟道型晶体管,
并且所述第二电位高于所述第一电位。
4.根据权利要求1或2所述的摄像装置的工作方法,
其中所述第二晶体管为p沟道型晶体管,
并且所述第二电位低于所述第一电位。
5.一种摄像装置的工作方法,所述摄像装置包括像素,
其中,所述像素包括光电转换元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及电容器,
所述光电转换元件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接,
所述第二晶体管的栅极与所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接,
并且,所述摄像装置的工作方法包括如下步骤:
在第一期间,使所述第三晶体管成为开启状态,由此使所述第二晶体管的栅极的电位复位;
在第二期间,向所述电容器的另一个电极供应第一电位,并且使所述第一晶体管成为开启状态且使所述第三晶体管成为关闭状态,由此将对应于照射到所述光电转换元件的光的照度的摄像数据写入到所述像素中;以及
在第三期间,向所述电容器的另一个电极供应第二电位,由此从所述像素读出所述摄像数据。
6.根据权利要求5所述的摄像装置的工作方法,
其中在所述第一及第二期间,所述第二晶体管处于关闭状态,
并且在所述第三期间,所述第二晶体管处于开启状态。
7.根据权利要求5或6所述的摄像装置的工作方法,
其中所述第二晶体管为n沟道型晶体管,
并且所述第二电位高于所述第一电位。
8.根据权利要求5或6所述的摄像装置的工作方法,
其中所述第二晶体管为p沟道型晶体管,
并且所述第二电位低于所述第一电位。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的摄像装置的工作方法,
其中所述第一晶体管在沟道形成区域中包括金属氧化物,
并且所述金属氧化物包含In、Zn及M(M为Al、Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。
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