[发明专利]发光元件及其制造方法和包括该发光元件的显示装置

权利要求书

1.一种发光元件的制造方法，所述制造方法包括：

制备下基底，所述下基底包括基底和形成在所述基底上的缓冲材料层；

形成分离层，所述分离层设置在所述下基底上并且包括至少一个石墨烯层；

通过在所述分离层上沉积第一导电型半导体层、活性材料层和第二导电型半导体层来形成元件沉积结构；

通过在竖直方向上蚀刻所述元件沉积结构和所述分离层来形成元件棒；以及

将所述元件棒与所述下基底分离来形成发光元件。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述元件棒的形成中，至少部分地蚀刻并图案化所述分离层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在所述分离层与所述下基底之间的第一界面处的在所述分离层与所述下基底之间的界面吸引力比在所述分离层与所述元件棒之间的第二界面处的在所述分离层与所述元件棒之间的界面吸引力大。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，在所述发光元件的形成中，所述第二界面被剥离，但是所述第一界面不被剥离，并且所述图案化的分离层保留在所述下基底上。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在所述发光元件中，分离表面是基本平坦的并且平行于所述第二导电型半导体层的顶表面，所述分离表面是所述元件棒从所述第二界面剥离的表面。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，在所述发光元件中，所述分离表面具有8nmRa至12nm Ra的范围内的表面粗糙度。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述元件棒的形成还包括形成绝缘层，所述绝缘层被设置为围绕所述元件棒的侧表面，并且

所述发光元件还包括被设置为围绕所述第一导电型半导体层的侧表面、所述活性材料层的侧表面和所述第二导电型半导体层的侧表面的所述绝缘层。

8.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述分离层包括：第一石墨烯层；以及第二石墨烯层，设置在所述第一石墨烯层上，

所述第一石墨烯层与所述缓冲材料层形成第三界面，

所述第二石墨烯层与所述元件棒形成第五界面，并且

所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层形成第四界面。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，在所述发光元件的形成中，

所述第三界面不剥离，

所述第四界面和所述第五界面中的至少一部分剥离，

所述第一石墨烯层保留在所述下基底上，并且

所述第二石墨烯层与所述第一石墨烯层形成在所述第四界面上，或者所述第二石墨烯层与所述元件棒形成在所述第五界面上。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，所述分离层包括：第一子分离层，设置在所述下基底上；以及

第二子分离层，置于所述基底与所述缓冲材料层之间。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述元件沉积结构还包括在所述第二导电型半导体层上的电极材料层。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述元件棒的形成包括：

在所述元件沉积结构上形成蚀刻掩模层，并且在所述蚀刻掩模层上形成蚀刻图案层，所述蚀刻图案层包括一个或更多个彼此分离的纳米图案；

通过竖直地蚀刻由彼此分离的所述纳米图案形成的区域来形成孔；以及

去除所述蚀刻掩模层和所述蚀刻图案层。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述元件沉积结构和所述分离层包括不同蚀刻选择性的材料，并且

所述孔的形成包括竖直地蚀刻所述元件沉积结构以暴露叠置区域的至少一部分，所述叠置区域在所述分离层与由彼此分离的所述纳米图案形成的所述区域之间；并且蚀刻所述分离层的暴露区域并使所述分离层的所述暴露区域图案化。