[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置在审
申请号: | 201980051793.0 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN112514101A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 濑尾哲史;佐佐木俊毅;上坂正吾;野村诗穂 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C09K11/06;G09F9/30;H01L27/32;C07D491/048;C07D519/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张桂霞;初明明 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子设备 照明 | ||
1.一种发光元件,包括:
阳极和阴极之间的EL层,
其中,所述EL层包括第一层及第二层,
所述第一层与所述第二层接触且位于所述阳极和所述第二层之间,
所述第二层包括发光物质、第一有机化合物及第二有机化合物,
所述第一有机化合物具有呋喃并二嗪骨架的呋喃环与芳香环稠合的结构,
所述第一层包括所述第二有机化合物,
并且,所述第二层为发光层。
2.根据权利要求1所述的发光元件,
其中所述EL层包括所述第一层、所述第二层及第三层,
所述第三层与所述第二层接触且位于所述阴极和所述第二层之间,
并且所述第三层包括第三有机化合物,所述第三有机化合物与所述第一有机化合物不同。
3.根据权利要求2所述的发光元件,
其中包括与所述第三层接触的第五层,
并且所述第五层包括包含碱金属的化合物。
4.根据权利要求1所述的发光元件,
其中所述EL层包括所述第一层、所述第二层及第四层,
所述第四层与所述阴极接触,
并且所述第四层包括包含所述第一有机化合物及碱金属的化合物。
5.一种发光元件,包括:
阳极和阴极之间的EL层,
其中,所述EL层包括第二层及第四层,
所述第四层与所述阴极接触,
所述第二层包括发光物质,
并且,所述第四层包括具有呋喃并二嗪骨架的呋喃环与芳香环稠合的结构的第一有机化合物及包含碱金属的化合物。
6.根据权利要求4或5所述的发光元件,
其中所述第四层与所述第二层接触。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件,
其中所述第一有机化合物具有呋喃并吡嗪骨架或呋喃并嘧啶骨架的呋喃环与芳香环稠合的结构。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件,
其中所述第一有机化合物由下述通式(G1)、下述通式(G2)或下述通式(G3)中的任一个表示。
[化学式1]
(在各通式中,Ar1表示取代或未取代的芳香环。另外,R1至R6分别独立地表示氢或碳原子的总数为1至100的基,R1和R2中的至少一个、R3和R4中的至少一个或R5和R6中的至少一个分别具有空穴传输性的骨架。)
9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件,
其中所述第一有机化合物由下述通式(G1)、下述通式(G2)或下述通式(G3)中的任一个表示。
[化学式2]
(在各通式中,Ar1示出取代或未取代的苯、取代或未取代的萘、取代或未取代的菲和取代或未取代的中的任一个。另外,R1至R6分别独立地表示氢或碳原子的总数为1至100的基,R1和R2中的至少一个、R3和R4中的至少一个或R5和R6中的至少一个分别具有空穴传输性的骨架。)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择