[发明专利]用于向离子源递送馈入气体的系统有效
申请号: | 201980051802.6 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN112534562B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 奎格·R·钱尼;亚当·M·麦劳克林 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 离子源 递送 气体 系统 | ||
1.一种用于向离子源递送馈入气体的系统,包括:
气体管,具有与掺杂剂源进行流体连通的内通道;以及
气体衬套,具有与所述气体管的所述内通道及离子源腔室进行流体连通的内通道,其中所述气体衬套具有小于30 W/mK的导热率,以热分离所述气体管与所述离子源腔室,
其中所述气体衬套具有与所述离子源腔室连通的内表面及外表面,并且其中所述气体衬套的形状是对称的,使得所述气体衬套能够被翻转,其中当所述气体衬套被翻转时,所述内表面变成所述外表面。
2.根据权利要求1所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,其中所述气体管是线性的。
3.根据权利要求2所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,还包括设置在所述气体管与所述气体衬套之间的弯管接头,所述弯管接头具有与所述气体管的所述内通道及所述气体衬套的所述内通道进行流体连通的内通道。
4.根据权利要求3所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,其中所述气体衬套及所述弯管接头具有互锁特征,以容许所述气体衬套附接到所述弯管接头。
5.根据权利要求2所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,其中所述气体衬套的所述内通道不是线性的。
6.根据权利要求1所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,其中所述气体管是非线性的。
7.根据权利要求6所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,其中所述气体衬套及所述气体管具有互锁特征,以容许所述气体衬套附接到所述气体管。
8.根据权利要求1所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,包括与所述气体管连通的散热器,其中通过所述气体管与所述散热器接触降低所述气体管的温度。
9.一种用于向离子源递送馈入气体的系统,包括:
气体管,具有与掺杂剂源进行流体连通的内通道;
离子源腔室,保持在升高的温度下;以及
气体衬套,由隔热材料构造而成,具有与所述气体管的所述内通道及所述离子源腔室进行流体连通的内通道,其中所述气体管的温度由于所述气体衬套的热分离而比所述升高的温度低200℃以上,
其中所述气体衬套具有与所述离子源腔室连通的内表面及外表面,并且其中所述气体衬套的形状是对称的,使得所述气体衬套能够被翻转,其中当所述气体衬套被翻转时,所述内表面变成所述外表面。
10.根据权利要求9所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,其中所述升高的温度高于800℃。
11.根据权利要求9所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,包括与所述气体管连通的散热器,其中通过所述气体管与所述散热器接触降低所述气体管的温度。
12.一种用于向离子源递送馈入气体的系统,包括:
掺杂剂源;
气体管,具有与所述掺杂剂源进行流体连通的内通道;
离子源腔室;
散热器,与所述气体管连通,其中通过所述气体管与所述散热器接触降低所述气体管的温度;以及
气体衬套,具有与所述气体管的所述内通道及所述离子源腔室进行流体连通的内通道,以便将馈入气体从所述掺杂剂源递送到所述离子源腔室,其中所述气体衬套由选自由钛、石英、氮化硼、氧化锆及陶瓷材料组成的群组的热分离材料构造而成,
其中所述气体衬套具有与所述离子源腔室连通的内表面及外表面,并且其中所述气体衬套的形状是对称的,使得所述气体衬套能够被翻转,其中当所述气体衬套被翻转时,所述内表面变成所述外表面。
13.根据权利要求12所述的用于向离子源递送馈入气体的系统,其中所述气体管是线性的,并且所述系统还包括设置在所述气体管与所述气体衬套之间的弯管接头,所述弯管接头具有与所述气体管的所述内通道及所述气体衬套的所述内通道进行流体连通的内通道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造