[发明专利]用于从衬底处理系统的排放装置的泵去除沉积物的清洁系统在审
申请号: | 201980051947.6 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN112534563A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 克里希纳·比鲁;刘刚;伦纳德·许;阿南德·查德拉什卡;许吉顺 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05H1/46;H01J37/32;H01L21/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 衬底 处理 系统 排放 装置 去除 沉积物 清洁 | ||
1.一种用于衬底处理系统的排放系统,其包括:
自由基产生器,其被构造成接收包含卤素物质的气体混合物并且产生卤素自由基;
第一泵,其用于从处理室的排放出口抽出废气;以及
第一阀,其被构造成将所述自由基产生器的出口选择性地流体地连接至所述处理室的所述出口下游的所述第一泵的入口。
2.根据权利要求1所述的排放系统,还包括:
混合碗,其布置在所述第一泵的上游和所述处理室的所述出口的下游,
其中,所述第一阀被构造成将所述自由基产生器的所述出口选择性地流体地连接至所述混合碗的第一入口。
3.根据权利要求2所述的排放系统,其中,所述混合碗的第二入口流体地连接至所述排放出口。
4.根据权利要求3所述的排放系统,其还包括第二阀,所述第二阀被构造成将所述自由基产生器的出口选择性地流体地连接至所述混合碗的所述第二入口。
5.根据权利要求2所述的排放系统,其还包括:
第二泵,其具有流体地连接到所述处理室的所述出口的入口以及流体地连接到所述混合碗的所述入口的出口,
其中,所述第一泵的所述入口流体地连接到所述混合碗的出口。
6.根据权利要求5所述的排放系统,其中,所述第二泵包括涡轮分子泵,并且所述第一泵选自由粗泵和干式泵组成的群组。
7.根据权利要求2所述的排放系统,其中,所述混合碗包括收集器。
8.根据权利要求5所述的排放系统,其还包括:
清扫气体源;和
第二阀,其被构造成选择性地将所述清扫气体源流体地连接到所述第一泵。
9.根据权利要求1所述的排放系统,其还包括气体检测器,所述气体检测器流体地连接到所述第一泵的出口。
10.根据权利要求5所述的排放系统,其还包括:
气体检测器;
第二阀,其被构造成将所述第一泵的所述出口选择性地流体地连接至所述气体检测器的入口;
第三泵,其连接到所述气体检测器的出口;以及
第三阀,其被构造成将所述第三泵的出口选择性地流体地连接至减排系统。
11.一种衬底处理系统,其包括:
根据权利要求1所述的排放系统;
处理室;
远程等离子体源,其被构造成产生远程等离子体并且选择性地将所述远程等离子体输送到所述处理室;以及
控制器,其被构造成使用所述远程等离子体源选择性地执行室清洁并且使用所述自由基产生器执行泵清洁。
12.根据权利要求11所述的衬底处理系统,其中,所述控制器被构造成在第一时段期间执行所述室清洁并且在第二时段期间执行所述泵清洁。
13.根据权利要求12所述的衬底处理系统,其中,所述第二时段与所述第一时段至少部分地重叠。
14.根据权利要求12所述的衬底处理系统,其中,所述第二时段按顺序在所述第一时段之后。
15.根据权利要求12所述的衬底处理系统,其中,所述第一时段按顺序在所述第二时段之后。
16.根据权利要求11所述的衬底处理系统,其中,所述控制器在先前的室清洁之后处理X个衬底之后执行所述室清洁,并且在先前的泵清洁之后处理Y个衬底之后执行所述泵清洁,其中X和Y为大于1的整数。
17.根据权利要求16所述的衬底处理系统,其中,X不等于Y。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造