[发明专利]加强型位翻转方案

说明书

本申请案涉及一种加强型位翻转方案。加强型位翻转方案可包含用于以下各者的方法、系统及装置：在产生指示是否翻转对应码字中的数据位的翻转位的同时执行码字中的数据位的错误校正；抑制执行所述码字中的反转位的错误校正；及使用多个反转位产生高可靠性翻转位。例如，可通过确定数个、大多数或全部所述反转位是否指示所述数据位处于经反转状态中而产生更可靠的翻转位。

交叉参考

本专利申请案主张法兰肯塔尔(FACKENTHAL)在2019年8月2日申请的标题为“加强型位翻转方案(ENHANCED BIT FLIPPING SCHEME)”的第PCT/US2019/044874号PCT申请案的优先权，所述PCT申请案主张法兰肯塔尔在2018年8月17日申请的标题为“加强型位翻转方案(ENHANCED BIT FLIPPING SCHEME)”的第16/104,470号美国专利申请案的优先权，所述申请案中的每一者让与其受让人，且所述申请案中的每一者以全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及加强型位翻转方案。

背景技术

下文大体上涉及操作存储器阵列且更具体来说涉及一种加强型位翻转方案。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，所述两个状态通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取经存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在多个类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、闪存、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM、PCM、RRAM)即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其经存储逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其经存储状态，除非其通过外部电源周期性地刷新。

存储器装置可(例如，为了可靠性原因)反转存储于存储器胞处的数据位。位可指示存储于特定存储器胞处的逻辑状态经反转。然而，针对与反转相关的位执行错误校正可延迟存取操作且当读取操作存取存储器的区段时，此延迟可由传播延迟加剧，从而将显著延时引入存储器系统中。期望与位翻转及错误校正操作相关的加强型方案。

发明内容

一种方法包括：接收包括多个数据位及多个反转位的码字，所述多个反转位指示所述多个数据位是否处于经反转状态中，其中所述多个反转位中的每一者具有第一值或第二值中的一者；执行所述码字的所述多个数据位的错误校正以获得多个经错误校正数据位；在所述错误校正的同时至少部分基于具有所述第一值的所述多个反转位的数量而产生翻转位；将所述多个经错误校正数据位及所述翻转位传输到位翻转组件；及至少部分基于所述翻转位而在所述位翻转组件处反转所述多个经错误校正数据位。

一种方法包括：针对包括多个数据位及指示所述多个数据位是否处于经反转状态中的多个反转位的码字，确定大多数所述多个反转位是否指示所述多个数据位处于所述经反转状态中；执行所述码字的错误校正以获得多个经错误校正数据位；至少部分基于确定所述大多数所述多个反转位是否指示所述多个数据位处于所述经反转状态中而产生翻转位；将所述多个经错误校正数据位及所述翻转位传输到位翻转组件；及至少部分基于所述翻转位而在所述位翻转组件处反转所述多个经错误校正数据位。