[发明专利]各向异性导电薄膜

权利要求书

1.一种各向异性导电薄膜，为导电粒子配置于绝缘性树脂层的各向异性导电薄膜，其中，以既定间距沿a方向配置有导电粒子的导电粒子的排列轴a1在与a方向以角度α斜交的b方向上被排列有多个的第一斜方晶格区域、以及以既定间距沿a方向配置有导电粒子的导电粒子的排列轴a2在使所述b方向相对于a方向反转的c方向上被排列有多个的第二斜方晶格区域反复配置，

对于与a方向斜交的排列轴，一个斜方晶格区域的排列轴的延长线不成为另一个斜方晶格区域的排列轴，第一斜方晶格区域和第二斜方晶格区域反复配置。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，第一斜方晶格区域和第二斜方晶格区域交替地反复配置。

3.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，在第一斜方晶格区域的排列轴a1和第二斜方晶格区域的排列轴a2上，导电粒子分别以一定的间距配置。

4.根据权利要求3所述的各向异性导电薄膜，其中，第一斜方晶格区域的排列轴a1和第二斜方晶格区域的排列轴a2的导电粒子的间距相等。

5.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，在第一斜方晶格区域中邻接的排列轴a1彼此的距离L1与在第二斜方晶格区域中邻接的排列轴a2彼此的距离L2相等。

6.根据权利要求2所述的各向异性导电薄膜，其中，在邻接的第一斜方晶格区域的排列轴a1和第二斜方晶格区域的排列轴a2上，导电粒子的位置沿a方向偏移。

7.根据权利要求6所述的各向异性导电薄膜，其中，邻接的第一斜方晶格区域的排列轴a1和第二斜方晶格区域的排列轴a2上的、导电粒子的a方向的偏移量Ld比导电粒子的平均粒径大。

8.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，第一斜方晶格区域中的排列轴a1的排列数与第二斜方晶格区域中的排列轴a2的排列数相等。

9.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，第一斜方晶格区域中的排列轴a1的排列数和第二斜方晶格区域中的排列轴a2的排列数为4以下。

10.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，排列轴a1与各向异性导电薄膜的长边方向平行。

11.根据权利要求2所述的各向异性导电薄膜，其中，第一斜方晶格区域和第二斜方晶格区域的、与a方向垂直的方向的重复间距为作为连接对象的端子的端子长度以下。

12.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，导电粒子是金属粒子、合金粒子或金属包覆树脂粒子。

13.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，关于导电粒子，并用两种以上。

14.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，导电粒子的粒径为1μm以上30μm以下。

15.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，导电粒子的个数密度为30个/mm²以上。

16.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，导电粒子的面积占有率为0.3％以上。

17.根据权利要求1所述的各向异性导电薄膜，其中，进一步层叠有低粘度树脂层。

18.如权利要求1至17中的任一项所述的各向异性导电薄膜的卷装体，其中，该卷装体长度为5m以上。