[发明专利]对径向蚀刻均匀度的主动控制

权利要求书

1.一种用于控制径向蚀刻均匀度的方法，其包含：

产生具有基频与第一相位的第一射频(RF)信号；

分别基于所述基频与所述第一相位产生具有(n-1)次谐波频率与第二相位的第二RF信号，其中n为大于2的整数；

分别基于所述基频与所述第一相位产生具有n次谐波频率与第三相位的第三RF信号；

通过RF匹配装置接收所述第一、所述第二、以及所述第三RF信号；以及

通过所述RF匹配装置将经修改的RF信号输出至等离子体室的电极以在蚀刻操作期间控制在衬底的表面各处的所述径向蚀刻均匀度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一RF信号是高频RF信号，所述方法还包含：

产生低频RF信号；以及

通过所述RF匹配装置接收所述低频RF信号，其中所述经修改的RF信号基于所述第一、所述第二、所述第三RF信号以及所述低频RF信号输出。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述(n-1)次谐波频率被所述基频锁定，并且所述n次谐波频率被所述基频锁定，其中所述第二相位被所述第一相位锁定，并且所述第三相位被所述第一相位锁定，其中所述第一RF信号具有第一参数水平，所述第二RF信号具有第二参数水平，而所述第三RF信号具有第三参数水平，其中所述第二参数水平被所述第一参数水平锁定，并且所述第三参数水平被所述第一参数水平锁定。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包含：

测量与所述RF匹配装置相关的参数以产生电信号；

分析所述电信号内的数据以识别测得的基频、测得的(n-1)次谐波频率、以及测得的n次谐波频率；

计算所述测得的(n-1)次谐波频率与所述测得的基频之间的第一差异；

计算所述测得的n次谐波频率与所述测得的基频之间的第二差异；

比较所述第一差异与第一预定阈值以及所述第二差异与第二预定阈值中的至少一者；

响应于判断出所述第一差异大于所述第一预定阈值，修改所述第一RF信号的所述基频和所述第二RF信号的所述(n-1)次谐波频率中的至少一者；以及

响应于判断出所述第二差异大于所述第二预定阈值，修改所述第一RF信号的所述基频和所述第三RF信号的所述n次谐波频率中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的方法，其还包含：

测量与所述RF匹配装置相关的参数以产生电信号；

分析所述电信号内的数据以识别测得的基频处的相位、测得的(n-1)次谐波频率处的相位、以及测得的n次谐波频率处的相位；

计算所述测得的(n-1)次谐波频率处的相位与所述测得的基频处的相位之间的第一差异；

计算所述测得的n次谐波频率处的相位与所述测得的基频处的相位之间的第二差异；

比较所述第一差异与第一预定阈值以及所述第二差异与第二预定阈值中的至少一者；

响应于判断出所述第一差异大于所述第一预定阈值，修改所述第一RF信号的所述第一相位和所述第二RF信号的所述第二相位中的至少一者；以及

响应于判断出所述第二差异大于所述第二预定阈值，修改所述第一RF信号的所述第一相位和所述第三RF信号的所述第三相位中的至少一者。