[发明专利]用于III-V/硅混合集成的方法

权利要求书

1.一种转移印刷的方法，所述方法包括：

提供前驱体光子器件，所述前驱体光子器件包括基板和粘结区域，其中所述前驱体光子器件包括位于所述粘结区域中或邻近所述粘结区域的一个或多个对准标记；

提供转移裸片，所述转移裸片包括一个或多个对准标记；

将所述前驱体光子器件的所述一个或多个对准标记与所述转移裸片的所述一个或多个对准标记对准；以及

将所述转移裸片的至少一部分粘结到所述粘结区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述前驱体光子器件如在权利要求9至20中任一项中所阐述。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述转移裸片如在权利要求21至32中任一项中所阐述。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括填充所述前驱体光子器件与所述转移裸片之间的刻面的步骤。

5.如权利要求4所述的方法，其中用于填充所述刻面的填充材料是氮化硅或非晶硅。

6.如任一前述权利要求所述的方法，所述方法还包括以下一个或多个步骤：

对所述前驱体光子器件和/或所述转移裸片进行等离子体处理；

将所述前驱体光子器件浸入水中；

对所述前驱体光子器件进行干燥；以及

将所述转移裸片和前驱体光子器件退火。

7.如权利要求6所述的方法，其中在至少250℃且不超过350℃的温度下执行所述退火至少20分钟且不超过40分钟的时间。

8.如权利要求7所述的方法，其中在诸如氮气氛或氩气氛的惰性气体气氛中执行所述退火。

9.一种光电子器件，所述光电子器件是使用如权利要求1至8中任一项所述的方法生产的。

10.一种光电子器件，所述光电子器件包括：

绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片具有腔；以及

III-V半导体基光子器件，所述III-V半导体基光子器件位于所述腔内并粘结到所述腔；

其中所述III-V半导体基光子器件包括一个或多个对准标记，所述一个或多个对准标记与所述腔中的对应的对准标记重叠。

11.如权利要求10所述的光电子器件，其中所述一个或多个对准标记位于所述III-V半导体基光子器件的光学透明区域中。

12.如权利要求10所述的光电子器件，其中所述一个或多个对准标记是所述III-V半导体基光子器件中的完全延伸穿过所述III-V半导体基光子器件的孔洞。

13.如权利要求10至12中任一项所述的光电子器件，所述光电子器件还包括输入和/或输出波导，所述波导设置在所述绝缘体上硅晶片中且光耦合到所述III-V半导体基光子器件。

14.一种光电子器件，所述光电子器件包括：

如权利要求15至26中任一项所述的前驱体光子器件，所述前驱体光子器件粘结到如权利要求28至39中任一项所述的转移裸片。

15.一种前驱体光子器件，所述前驱体光子器件包括：

基板；

粘结区域，所述粘结区域用于接纳转移裸片并粘结到所述转移裸片；以及

一个或多个对准标记，所述一个或多个对准标记用于在转移印刷中使用，所述对准标记位于所述粘结区域中或邻近所述粘结区域。

16.如权利要求15所述的前驱体光子器件，其中所述粘结区域在设置于所述基板中的腔中。