[发明专利]显示装置及其操作方法在审
申请号: | 201980053215.0 | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN112567527A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 金建熙;朴常镐;全珠姬;郑荣哲 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3283;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 操作方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;和
放置在所述基板上的晶体管,
其中所述晶体管包括:
半导体层;
与所述半导体层重叠的栅电极;
与沟道区重叠并且与所述栅电极接触的第一栅接触重叠层,所述栅电极和所述半导体层在所述沟道区处重叠;和
与所述沟道区重叠并且与所述半导体层接触的半导体接触重叠层,并且
所述第一栅接触重叠层和所述半导体接触重叠层在所述沟道区内由间隙物理地分开。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述晶体管进一步包括:
与所述沟道区重叠并且与所述栅电极接触的第二栅接触重叠层,并且
在平面上,所述半导体接触重叠层设置在所述第一栅接触重叠层和所述第二栅接触重叠层之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
在平面上,包括所述第一栅接触重叠层、所述半导体接触重叠层、所述第二栅接触重叠层和所述间隙的整个区域的宽度大于所述沟道区的宽度。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
在平面上,包括所述第一栅接触重叠层、所述半导体接触重叠层、所述第二栅接触重叠层和所述间隙的整个区域的宽度小于所述沟道区的宽度。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述晶体管进一步包括与所述沟道区重叠并且与所述半导体层和所述栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述半导体接触重叠层包括:
与所述沟道区重叠的第一重叠部;
与所述沟道区重叠的第二重叠部;
与所述半导体层接触而不与所述栅电极重叠的接触部;和
将所述第一重叠部、所述第二重叠部和所述接触部彼此连接的延伸部。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述第一栅接触重叠层设置在所述第一重叠部和所述第二重叠部之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
在平面上,包括所述第一栅接触重叠层、所述第一重叠部、所述第二重叠部和所述间隙的整个区域的宽度大于所述沟道区的宽度。
9.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
在平面上,包括所述第一栅接触重叠层、所述第一重叠部、所述第二重叠部和所述间隙的整个区域的宽度小于所述沟道区的宽度。
10.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述晶体管进一步包括与所述沟道区重叠并且与所述半导体层和所述栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一栅接触重叠层的宽度与所述半导体接触重叠层的宽度相同。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一栅接触重叠层的宽度和所述半导体接触重叠层的宽度彼此不同。
13.一种显示装置,包括:
多个像素,
其中,所述多个像素中的每一个包括:
发光二极管;和
驱动晶体管,控制从第一电源电压流到所述发光二极管的电流量,并且
所述驱动晶体管包括:
连接到第一节点的栅电极;
施加有所述第一电源电压的第一电极;
电连接到所述发光二极管的第二电极;
与所述驱动晶体管的沟道区重叠并且连接到所述栅电极的栅接触重叠层;和
与所述沟道区重叠并且连接到所述第一电极的半导体接触重叠层,并且
所述栅接触重叠层和所述半导体接触重叠层由间隙物理地分开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的