[发明专利]存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案

说明书

描述存储器装置中用于基于活动的数据保护的方法、系统和装置。在一个实例中，存储器装置可包含一组存储器区段，每个存储器区段具有配置成选择性地与相应存储器区段的存取线耦合的存储器单元。操作所述存储器装置的方法可包含确定对存储器装置的一组区段执行的存取操作数量、基于所确定的存取操作数量来为电压调整操作选择所述区段中的至少一个，以及对选定区段执行所述电压调整操作。所述电压调整操作可包含向所述存储器单元的相对端子施加相等电压，这可允许积累的电荷，例如在所述选定存储器区段的存取操作中累积的泄漏电荷，从所述选定区段的所述存储器单元中消散。

交叉引用

本专利申请要求韦娜(Villa)等人于2018年8月17日提交的名称为“存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案(ACCESS SCHEMES FOR ACTIVITY-BASED DATAPROTECTION IN A MEMORY DEVICE)”的第16/104,693号美国专利申请的优先权，此申请与法肯索尔(Fackenthal)等人于2018年8月17日提交的“存储器装置中用于基于区段的数据保护的存取方案(ACCESS SCHEMES FOR SECTION-BASED DATA PROTECTION IN A MEMORYDEVICE)”的第16/104,711号美国专利申请有关，这两个申请均转让给本受让人且均以引用的方式明确并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及存储器系统，且更确切地说，涉及存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制存储器装置具有通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”的两个逻辑状态。在其它存储器装置中，可存储超过两个逻辑状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的逻辑状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的逻辑状态。

存在各种类型的存储器装置，包含采用磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等等的那些。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如PCM和FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可在很长一段时间内维持所存储的逻辑状态。例如DRAM的易失性存储器装置，除非其由电源周期性地刷新，否则可随时间推移失去所存储的逻辑状态。在一些情况下，非易失性存储器可使用类似装置架构作为易失性存储器，但可通过采用此类物理现象作为铁电电容或不同材料相位而具有非易失性特性。

改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、增大读取/写入速度、提高可靠性、增强数据保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。在一些情况下，存储器装置的区段的选定存储器单元上的存取操作可使电荷在存储器装置的区段的未选定存储器单元上累积，这可能会促进存储在未选定存储器单元中的数据的丢失。

附图说明

图1示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的实例存储器装置。

图2示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的实例电路。

图3示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器单元的具有迟滞曲线的非线性电特性的实例。

图4示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的电路的实例。

图5示出根据本公开的各种实施例的时序图，其示出了存储器装置中用于基于活动的数据保护的实例存取方案的操作。

图6A和6B示出根据本公开的各种实施例的流程图，其示出了可支持存储器装置中用于基于区段的数据保护的存取方案的一或多种方法。