[发明专利]用于将输入电流与电流阈值的集合比较的装置和方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一比较器，具有用以接收输入信号的第一输入，用以接收参考信号的第二输入，以及输出；以及

一个或多个开关的集合，具有被耦合到所述第一比较器的所述输出的输入，其中所述一个或多个开关的集合响应于来自所述第一比较器的第一输出信号进行操作，以从一个或多个阈值电流的集合中选择阈值电流。

2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括第二比较器，用以基于所述输入信号与选择的所述阈值电流的比较生成第二输出信号，选择的所述阈值电流对应于处于第一状态的所述第一输出信号。

3.根据权利要求2所述的装置，进一步包括第三比较器，用以基于所述输入信号与选择的所述阈值电流的比较生成第三输出信号，选择的所述阈值电流对应于处于第二状态的所述第一输出信号。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个开关的集合包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)，其中所述一个或多个开关的集合包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)，或者其中所述一个或多个开关的集合包括NMOS和PMOS。

5.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：

电流源，用以生成所述一个或多个阈值电流的集合中的一个阈值电流；以及

第一电流吸收器，用以吸收所述一个或多个阈值电流的集合中的另一个阈值电流；

其中所述电流源、所述NMOS、所述PMOS以及所述第一电流吸收器被串联耦合在高电压轨与低电压轨之间，其中所述第一比较器的所述第一输入被耦合到所述NMOS与所述PMOS之间的节点，并且其中所述NMOS和PMOS的栅极被耦合到所述第一比较器的所述输出。

6.根据权利要求5所述的装置，进一步包括第二电流吸收器，用以吸收所述一个或多个阈值电流的集合中的另一个阈值电流，其中所述第二电流吸收器被耦合在所述第一比较器的所述第一输入与所述低电压轨之间。

7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括电流源，用以生成所述一个或多个阈值电流的集合中的一个阈值电流。

8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括电流吸收器，用以吸收所述一个或多个阈值电流的集合中的一个阈值电流。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述输入信号包括输入电流。

10.根据权利要求1所述的装置，进一步包括电流器件，用以生成与所述输入信号进行比较的所述集合的三个阈值电流。

11.一种装置，包括：

第一比较器，具有用以接收输入信号的第一输入，用以接收参考信号的第二输入，以及输出；

电流源，用以提供第一阈值电流；

第一电流吸收器，用以提供第二阈值电流；

第二电流吸收器，用以提供第三阈值电流；以及

一个或多个开关的集合，被耦合在所述电流源与所述第一电流吸收器和所述第二电流吸收器之间，所述一个或多个开关的集合具有耦合到所述第一比较器的所述输出的输入。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述一个或多个开关的集合包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)以及p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述电流源、所述NMOS、所述PMOS以及所述第一电流吸收器被串联耦合在高电压轨与低电压轨之间，其中所述第一比较器的所述第一输入被耦合到在所述NMOS与所述PMOS之间的节点，并且所述NMOS和PMOS的栅极被耦合到所述第一比较器的所述输出。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第二电流吸收器被耦合在所述第一比较器的所述第一输入与所述低电压轨之间。