[发明专利]MEMS器件的制造方法以及MEMS器件在审
申请号: | 201980053800.0 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN112567500A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 福光政和 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/53;B28D5/00;B81B3/00;B81C3/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王海奇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 器件 制造 方法 以及 | ||
1.一种MEMS器件的制造方法,包括:
从第二基板的第二主面侧照射激光,以便沿第一基板与上述第二基板的分割线而在上述第二基板的内部形成改性区域的工序,其中,在上述第一基板的第一主面形成器件部,上述第二基板的第一主面经由接合部与上述第一基板的第二主面接合;以及
对上述改性区域施加应力而沿上述分割线分割上述第一基板以及上述第二基板的工序,
上述接合部沿上述分割线而形成,遮挡上述激光。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的制造方法,其中,
在上述照射的工序之前,还包括在上述第二基板的上述第二主面粘贴切割胶带的工序。
3.根据权利要求1或者2所述的MEMS器件的制造方法,其中,
在上述照射的工序之后,还包括从上述第一基板的上述第一主面侧照射上述激光,以便沿上述分割线在上述第一基板的内部形成改性区域的工序。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的MEMS器件的制造方法,其中,
上述接合部具有沿上述分割线的一部分形成的开口。
5.根据权利要求4所述的MEMS器件的制造方法,其中,
上述第一基板的上述第一主面上的上述分割线的宽度为5μm以上且20μm以下,
上述第二基板的上述第一主面上的上述开口的宽度为20μm以下。
6.根据权利要求5所述的MEMS器件的制造方法,其中,
上述器件部包括多个电极焊盘,
上述电极焊盘分别距上述第一基板的上述第一主面上的上述分割线的距离大于上述开口的上述宽度的1/2。
7.根据权利要求6所述的MEMS器件的制造方法,其中,
每个上述电极焊盘距上述第一基板的上述第一主面上的上述分割线的距离为上述第一基板的厚度的1/6以上。
8.一种MEMS器件,具备:
第一基板,在第一主面形成器件部;以及
第二基板,第一主面经由接合部与上述第一基板的第二主面接合,
上述接合部的材料是相对于上述第一基板以及上述第二基板具有透过性的能够遮挡激光的金属。
9.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中,
上述接合部在上述第二基板的上述第一主面中从外缘隔开第一距离而配置。
10.根据权利要求9所述的MEMS器件,其中,
上述第一距离为20μm以下。
11.根据权利要求9或者10所述的MEMS器件,其中,
上述器件部包括多个电极焊盘,
上述电极焊盘分别在上述第一基板的上述第一主面上从外缘隔开比上述第一距离大的第二距离而配置。
12.根据权利要求11所述的MEMS器件,其中,
上述第二距离为上述第一基板的厚度的1/6以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造