[发明专利]溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质

说明书

本发明是一种溅射靶，其含有0.05at％以上的Bi，金属氧化物的合计含量为10vol％～60vol％，剩余部分包含Co和Pt。

技术领域

本说明书公开了一种涉及溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质的技术。

背景技术

在相对于记录面垂直方向上记录磁力的垂直磁记录介质等磁记录介质有时由多个层构成，所述多个层由包含上部记录层和下部记录层的记录层以及其他层构成。这些层通过分别使用与各层相对应的溅射靶并溅射于基板上来依次成膜而形成，其中，有时会使用金属相由以Co作为主要成分的金属构成且氧化物相包含特定的金属氧化物的溅射靶。作为这样的溅射靶，有专利文献1～12所记载的溅射靶等。

在此，上部记录层等特定的层被要求伴随着高晶体取向性和良好的磁性粒子间的分离而形成赋予了期望的饱和磁化和垂直磁各向异性的磁性粒子。

该层通常例如通过专利文献1～10中所记载的添加有Pt、Cr、Ru等非磁性金属的溅射靶形成。该层是基于Pt、Cr、Ru能良好地保持晶体取向性，且控制饱和磁化和垂直磁各向异性而得到的层。由此，能控制兼顾记录容易性和记录保持性。此外，通过SiO₂、TiO₂、B₂O₃等金属氧化物同时被溅射并充满于磁性粒子间而形成所谓的颗粒状(granular)结构，削弱磁性粒子间的交换耦合，由此形成能保持高密度的记录位元的记录层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－208169号公报

专利文献2：日本特开2011－174174号公报

专利文献3：日本特开2011－175725号公报

专利文献4：日本特开2012－117147号公报

专利文献5：日本专利第4885333号公报

专利文献6：美国专利申请公开第2013/0134038号说明书

专利文献7：国际公开第2012/086388号

专利文献8：美国专利申请公开第2013/0213802号说明书

专利文献9：国际公开第2015/064761号

专利文献10：美国专利申请公开第2016/0276143号说明书

专利文献11：日本特开2011－208169号公报

专利文献12：国际公开第2014/141737号

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在如上述那样的Pt、Cr、Ru中添加有SiO₂、TiO₂、B₂O₃等金属氧化物的溅射靶中，磁性粒子的分离性对于进一步提高记录密度而变得不充分。因此，可以说这种溅射靶存在进一步改善的余地。

为了解决这样的问题，本说明书提出了一种添加有非磁性金属及氧化物的溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质，所述非磁性金属及氧化物有助于饱和磁化和磁各向异性的控制、以及磁性粒子的晶体取向和磁性粒子的分离性。

用于解决问题的方案

本说明书中公开的溅射靶含有0.05at％以上的Bi，金属氧化物的合计含量为10vol％～60vol％，剩余部分至少包含Co和Pt。