[发明专利]用于高深宽比蚀刻的含金属钝化

权利要求书

1.一种在衬底上的含电介质的堆叠件中形成蚀刻特征的方法，所述方法包括：

(a)通过将所述衬底暴露于包含蚀刻反应物的第一等离子体中而部分地蚀刻所述含电介质的堆叠件中的特征；

(b)在(a)之后，在所述特征的侧壁上沉积保护膜，所述保护膜包含碳氮化钨、硫化钨、锡、含锡化合物、钼、含钼化合物、碳氮化钌、硫化钌、碳氮化铝、硫化铝、锆和含锆化合物中的至少一种；以及

(c)重复(a)-(b)直到将所述特征蚀刻到最终深度，其中在(b)中沉积的所述保护膜在(a)期间基本上防止了对所述特征的横向蚀刻，并且其中所述特征在其最终深度处具有约5或更大的深宽比。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包含碳氮化钨或硫化钨。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述保护膜包含碳氮化钨。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包含锡、氧化锡、氮化锡、碳化锡、碳氮化锡或硫化锡。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述保护膜包含氧化锡。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包含钼、氧化钼、碳化钼、氮化钼、碳氮化钼或硫化钼。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包含金属硫化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包含碳氮化钌或硫化钌。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包含碳氮化铝或硫化铝。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包含锆、氧化锆、碳化锆、氮化锆、碳氮化锆或硫化锆。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)包括通过原子层沉积反应来沉积所述保护膜，所述原子层沉积反应包括：

(i)使所述衬底暴露于第一沉积反应物并且使得所述第一沉积反应物能吸附到所述特征的所述侧壁上；以及

(ii)在(i)之后，使所述衬底暴露于第二沉积反应物并且使所述第一沉积反应物和所述第二沉积反应物在表面反应中反应，从而在所述特征的所述侧壁上形成所述保护膜。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)包括通过化学气相沉积反应来沉积所述保护膜，所述化学气相沉积反应包含将所述衬底同时暴露于第一沉积反应物和第二沉积反应物。

13.根据权利要求1所述的方法，其还包括在(a)之前对在所述含电介质的堆叠件上的掩模层进行掺杂。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，(a)导致在所述特征的所述侧壁上形成基于碳氟化合物的涂层，所述方法还包括在(a)之后和(b)之前，对所述衬底进行预处理以由此去除或改变所述基于碳氟化合物的涂层，并且其中预处理所述衬底包括将所述衬底暴露于等离子体，所述等离子体由：(i)包含N₂和H₂的气体，或(ii)包含O₂和惰性气体的气体产生。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述保护膜包含碳氮化钨。

16.根据权利要求1所述的方法，其中(a)导致在所述特征的所述侧壁上形成基于碳氟化合物的涂层，其中所述保护膜包含氧化锡，并且其中所述氧化锡保护膜在(b)中直接沉积于在(a)中形成的所述基于碳氟化合物的涂层上。

17.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述特征被完全蚀刻之后从所述侧壁去除所述保护膜。