[发明专利]集成有加热器的传感器在审
申请号: | 201980054397.3 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN112996745A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 严沛文;刘廷渊;任颉;林宗贤;约瑟·西格;卡林·麦克劳斯 | 申请(专利权)人: | 应美盛股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 美国加利福尼亚州圣何*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 加热器 传感器 | ||
1.一种装置,其特征在于,包括:微机电系统(MEMS)传感器管芯,
所述微机电系统传感器管芯包括:
可变形膜;以及
MEMS加热元件,与所述可变形膜集成于同一层且同一平面内;
其中,所述MEMS加热元件设置于所述可变形膜的外周边;
所述MEMS加热元件通过沟槽与所述可变形膜电隔离;
所述MEMS加热元件用于产生热量,以加热所述可变形膜。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述沟槽位于硅层内。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述沟槽内的材料选自氮化硅和硅氧化物构成的组。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
另一沟槽,所述另一沟槽定位于所述MEMS加热元件的外周边,用于将所述MEMS加热元件与外周层电隔离。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述可变形膜的外周定位于氧化层上,所述可变形膜、所述氧化层和衬底形成一空腔,所述衬底包括形成于所述衬底上表面的电极,所述衬底上表面面向所述空腔内的所述可变形膜。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述MEMS加热元件设置于所述氧化层上。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述MEMS加热元件用于为校准产生热量,以响应偏移温度系数(TCO)。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,响应于触发,执行所述校准。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述MEMS加热元件用于产生热量,以响应检测到所述可变形膜上存在液体。
10.一种具有微机电系统(MEMS)传感器管芯的装置,其特征在于,包括:
可变形膜;
MEMS加热元件,与所述可变形膜集成于同一层且同一平面内,其中,所述MEMS加热元件设置于所述可变形膜的外周,并用于产生热量,以加热所述可变形膜;以及
衬底。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,还包括:
另一MEMS加热元件,与所述可变形膜集成于同一层且同一平面内,其中,所述MEMS加热元件与所述另一MEMS加热元件相互分离,所述另一MEMS加热元件设置于所述可变形膜的外周,并用于产生热量,以加热所述可变形膜。
12.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述MEMS加热元件内具有间隙,其中所述MEMS加热元件环绕所述可变形膜,但不完全包围所述可变形膜。
13.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,还包括:
设置于所述MEMS加热元件和所述可变形膜之间的沟槽,其中所述沟槽内的材料选自氮化硅和硅氧化物构成的组。
14.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述可变形膜的外周设置于氧化层上,所述可变形膜、所述氧化层和所述衬底形成一空腔,所述衬底包括形成于所述衬底上表面的电极,所述衬底上表面面向所述空腔内的所述可变形膜,所述MEMS加热元件设置于所述氧化层上。
15.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述可变形膜形成于外周层。
16.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述MEMS加热元件用于在所述MEMS传感器管芯焊接到板上后,为校准产生热量,以响应偏移温度系数(TCO)。
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