[发明专利]阴极活性物质、其制备方法以及具有包括所述阴极活性物质的阴极的锂二次电池在审
| 申请号： | 201980054504.2 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112602210A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 曹在弼;成宰庆;马知荣 | 申请（专利权）人： | SJ新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/052;C01B32/05;C01B32/963 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阴极 活性 物质 制备 方法 以及 具有 包括 二次 电池 | ||
1.一种用于锂二次电池的阴极活性物质，其包括：碳基材料；以及
含硅非晶涂层，其位于所述碳基材料上并以SiCx表示，
在所述SiCx中，x为0.07＜x＜0.7，
所述含硅非晶涂层包括粒径为5nm或更小的硅颗粒。
2.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
在SiCx中，x为0.2＜x＜0.5。
3.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述硅颗粒包括结晶硅颗粒。
4.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层在微分容量分析(dQ/dV)中0.43V处没有峰。
5.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述硅纳米颗粒的粒径为3nm至5nm。
6.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层包括硅纳米颗粒和碳基质，
基于100重量份的所述含硅非晶涂层，所述碳基质占10重量份至60重量份。
7.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层的厚度为5nm至4000nm。
8.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层设置于所述碳基材料的部分或全部表面。
9.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述碳基材料包括天然石墨、人造石墨、硬碳、软碳或其组合。
10.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
在所述含硅非晶涂层上设置包括非晶碳的碳涂层。
11.一种用于锂二次电池的阴极活性物质的制备方法，其包括：准备碳基材料；以及
在碳基材料的表面提供以SiCx(0.07＜x＜0.7)表示的含硅非晶涂层。
12.根据权利要求11所述的用于锂二次电池的阴极活性物质的制备方法，其中，
所述提供含硅非晶涂层的步骤包括：提供硅烷基气体和烃基气体。
13.根据权利要求12所述的用于锂二次电池的阴极活性物质的制备方法，其中，
所述硅烷基气体与烃基气体的体积比为1：0.01体积％至1：1体积％。
14.根据权利要求12所述的用于锂二次电池的阴极活性物质的制备方法，其中，
所述硅烷基气体与烃基气体的体积比为1：0.01体积％至1：0.5体积％。
15.根据权利要求12所述的用于锂二次电池的阴极活性物质的制备方法，其中，
依次或同时提供所述硅烷基气体和烃基气体。
16.根据权利要求11所述的用于锂二次电池的阴极活性物质的制备方法，其中，
所述提供含硅非晶涂层的步骤在400℃至900℃的温度下进行。
17.根据权利要求11所述的用于锂二次电池的阴极活性物质的制备方法，其进一步包括：
在所述提供含硅非晶涂层的步骤后，提供包括非晶碳的碳涂层。
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