[发明专利]具有改进的应力分布的玻璃陶瓷制品

权利要求书

1.一种玻璃陶瓷制品，其包括：

玻璃陶瓷基材，其具有限定了基材厚度t的相对的第一和第二表面；

在玻璃陶瓷制品的中心处的中心组成，其含有碱金属和晶相，其中，所述晶相占据了中心组成的20重量％或更多；

其中不存在玻璃质表面层；以及，

以下一种或多种：

(a)应力分布，其包括位于3微米或更深的深度处的拐点；

(b)应力分布，其包括：位于所述第一表面处的200MPa或更大的第一压缩应力；和位于拐点处的20MPa或更大的第二压缩应力；或者

(c)非钠氧化物，其具有从所述第一表面到该非钠氧化物的层深度是变化的非零浓度；以及应力分布，其包括拐点和位于0.10t或更深处的压缩深度(DOC)。

2.如权利要求1所述的玻璃陶瓷制品，其中，中心组成的碱金属是锂。

3.如权利要求1所述的玻璃陶瓷制品，其中，在所述第一和第二表面处的所述晶相的表面浓度与中心组成中的所述晶相相差1％以内。

4.如权利要求1所述的玻璃陶瓷制品，其中，所述晶相包括透锂长石晶相和/或硅酸锂盐晶相，其中，所述硅酸锂盐晶相是二硅酸锂盐晶相。

5.如权利要求1所述的玻璃陶瓷制品，其中，玻璃陶瓷基材包括具有β-锂辉石固溶体晶相的含锂铝硅酸盐玻璃陶瓷。

6.如权利要求1所述的玻璃陶瓷制品，其中，以重量计，中心组成包含：55至80％SiO₂，2至20％Al₂O₃，0.5至6％P₂O₅，5至20％Li₂O，0至5％Na₂O，0.2至15％ZrO₂，0至10B₃O₃，和0至10％ZnO。

7.如权利要求1-6中任一项所述的玻璃陶瓷制品，其中，应力分布包括：

从所述第一表面延伸到拐点的尖峰区域；和

从拐点延伸到玻璃陶瓷制品的中心的尾部区域；

其中，应力分布位于尖峰区域中的所有点包括20MPa/微米或更大的正切值，而应力分布位于尾部区域中的所有点包括2MPa/微米或更小的正切值。

8.如权利要求中1-6中任一项所述的玻璃陶瓷制品，其中，拐点包括50MPa或更大的压缩应力。

9.如权利要求1-6中任一项所述的玻璃陶瓷制品，其中，锂以非零浓度存在于所述第一和/或第二表面。

10.如权利要求1-6中任一项所述的玻璃陶瓷制品，其中，t是50微米至5毫米。

11.如权利要求1-6中任一项所述的玻璃陶瓷制品，其中，具有以下至少一种性质：

(i)在清洗处理后，根据CIELAB色坐标体系测得色参数a*值与暴露于清洗处理之前的色参数a*值相差在0.05个单位之内，其中，所述清洗处理包括将玻璃陶瓷制品暴露于pH为2至12的清洗溶液持续30分钟；

(ii)在清洗处理后，根据CIELAB色坐标体系测得色参数b*值与暴露于清洗处理之前的色参数b*值相差在0.5个单位之内，其中，所述清洗处理包括将玻璃陶瓷制品暴露于pH为2至12的清洗溶液持续30分钟；或者

(iii)在清洗处理后，根据CIELAB色坐标体系测得色参数L*值与暴露于清洗处理之前的色参数L*值相差在1个单位之内，其中，所述清洗处理包括将玻璃陶瓷制品暴露于pH为2至12的清洗溶液持续30分钟。

12.如权利要求1-6中任一项所述的玻璃陶瓷制品，其中，从所述第一和/或第二表面到所述层深度存在表面波导。