[发明专利]含氧族元素的有机化合物、有机半导体材料、有机半导体膜和有机电力场效应晶体管

权利要求书

1.由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，

[化学式1]

在式(1a)和式(1b)中，X表示S、O或Se，R¹分别独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基、芳烷基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基。

2.权利要求1所述的化合物，其中R¹分别独立地表示苯基烷基或烷基苯基。

3.权利要求1所述的化合物，其中R¹分别独立地表示碳原子数为7～16的苯基烷基或碳原子数为7～16的烷基苯基。

4.权利要求1所述的化合物，其中R¹分别独立地表示碳原子数为7～16的苯基烷基。

5.权利要求1所述的化合物，其中R¹分别独立地表示碳原子数为1～14的烷基。

6.权利要求1所述的化合物，其中R¹分别独立地表示卤素原子。

7.权利要求1～6中任一项所述的化合物，其在热重测定中，在氮气氛围下从常温以5℃/分钟的升温速度升温时，当热损失率为5％时的温度为350℃以上。

8.下式(X)表示的化合物，

[化学式2]

式(X)中，X表示S、O或Se，A分别独立地表示卤素原子。

9.由下式(2a)或式(2b)表示的化合物，

[化学式3]

式(2a)和(2b)中，X表示S、O或Se，A分别独立地表示卤素原子或氢原子。

10.下式(3a)或式(3b)表示的化合物，

[化学式4]

式(3a)或式(3b)中，X表示S、O或Se，A分别独立地表示卤素原子或氢原子，R²分别独立地表示烷基。

11.一种有机半导体材料，其含有权利要求1～7中任一项所述的化合物。

12.一种有机半导体膜，其含有权利要求1～7中任一项所述的化合物。

13.一种有机电力场效应晶体管，其具有基板、栅电极、栅绝缘膜、源电极、漏电极和有机半导体层，其中，

所述有机半导体层由权利要求12所述的有机半导体膜构成。