[发明专利]化合物、包含其的组合物、以及抗蚀图案的形成方法和绝缘膜的形成方法

说明书

一种组合物，其包含多酚化合物(B)，前述多酚化合物(B)为选自由下述式(1)所示化合物及具有下述式(2)所示结构的树脂组成的组中的1种以上。

技术领域

本发明涉及新型的化合物、和包含其的组合物、以及抗蚀图案的形成方法和绝缘膜的形成方法，特别是涉及光刻用膜形成用途、抗蚀用膜形成用途中使用的组合物、和使用其的膜形成方法。

背景技术

近年来，半导体元件、液晶显示元件的制造中，由于光刻技术的发展而半导体(图案)、像素的微细化急速推进。作为像素的微细化的手法，通常进行曝光光源的短波长化。具体而言，以往使用以g射线、i射线为代表的紫外线，但目前，KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等远紫外线曝光逐渐成为量产的中心，进一步逐渐推进了极紫外线(EUV：Extreme Ultraviolet)光刻(13.5nm)的导入。另外，为了形成微细图案，还使用电子束(EB：Electron Beam)。

迄今为止的一般的抗蚀材料为能形成非晶膜的高分子系抗蚀材料。例如可以举出：聚甲基丙烯酸甲酯、具有酸解离性基团的聚羟基苯乙烯或聚甲基丙烯酸烷基酯等高分子系抗蚀材料(例如参照非专利文献1)。

以往，对于将这些抗蚀材料的溶液涂布于基板上而制作的抗蚀薄膜，通过照射紫外线、远紫外线、电子束、极紫外线等，形成10～100nm左右的线图案。

另外，利用电子束或极紫外线的光刻的反应机制不同于通常的光刻。进而，利用电子束或极紫外线的光刻中，将几nm～十几nm的微细的图案形成作为目标。如此抗蚀图案尺寸如果变小，则要求对曝光光源进一步为高灵敏度的抗蚀材料。特别是利用极紫外线的光刻中，在生产能力的方面，要求实现进一步的高灵敏度化。

作为改善上述问题的抗蚀材料，提出了具有钛、锡、铪、锆等金属元素的无机抗蚀材料(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-108781号公报

非专利文献

非专利文献1：冈崎信次、等8人“光刻技术及其40年”ST出版、2016年12月9日

发明内容

发明要解决的问题

然而，以往开发出的抗蚀剂组合物存在膜的缺陷多、灵敏度不足、耐蚀刻性不足或抗蚀图案不良之类的课题。特别是，制作3D NAND器件时需要形成厚膜的抗蚀剂，紧急要求解决这些课题(特别是耐蚀刻性不足)。

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供：能形成具有高的耐蚀刻性的膜的组合物、以及使用其的抗蚀图案的形成方法和绝缘膜的形成方法。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现：具有特定结构的化合物和树脂对安全溶剂的溶解性高，且将这些化合物等用于光刻用膜形成用途、抗蚀用膜形成用途的组合物的情况下，可以形成具有高的耐蚀刻性的膜，至此完成了本发明。

即，本发明如下所述。

[1]

一种组合物，其包含多酚化合物(B)，

所述多酚化合物(B)为选自由下述式(1)所示化合物及具有下述式(2)所示结构的树脂组成的组中的1种以上。

(式(1)中，R^Y为氢原子、任选具有取代基的碳数1～30的烷基或任选具有取代基的碳数6～30的芳基；