[发明专利]用于产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法

权利要求书

1.一种产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法，所述方法包括：

使用位于腔室内的等离子体源产生等离子体；

在同一腔室内，使用磁场和/或静电场容纳并限制等离子体，使得等离子体在腔室内以均匀的高密度片传播；以及

在同一腔室内，使等离子体经过处理表面，使得等离子体与处理表面相互作用。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体源包括延伸穿过所述腔室的一段天线，所述磁场和/或静电场通过在相对于天线长度的一个正交方向上使等离子体以片状传播，并限制等离子体在相对于天线长度的另一正交方向和天线的纵向轴线的方向上的传播，而容纳并成形所述等离子体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述等离子体片传播成使得其大体平行于所述处理表面。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述磁场和/或静电场具有小于20高斯的磁场强度。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述等离子体源是位于所述腔室内的局部等离子体源。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述腔室包括两个壁，所述天线连接到两个壁并且在两个壁之间延伸，且其中沿着天线的整个长度产生局部和线性等离子体。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述天线是RF发射器，并且所述天线被包围在壳体内，所述壳体至少部分地透过RF辐射。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述壳体具有内部容积，所述内部容积在使用中被保持在与所述腔室不同的压力下。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述壳体通向所述腔室外部的大气。

10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述等离子体不是产生在分离的等离子体腔室内。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，一个或多个磁体具有4.8高斯的磁场强度。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，设备是沉积设备，所述处理表面是目标和/或沉积表面，所述等离子体片在等离子体处理空间中沿与目标和/或处理表面大体平行的方向传播。