[发明专利]清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201980055634.8 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112602175A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 柴田俊明;河瀬康弘;原田宪;伊藤笃史;草野智博;竹下祐太朗 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/22;C11D7/26;C11D7/32;C11D17/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 半导体 晶片 制造 | ||
1.一种清洗液，其包含下述成分(A)～成分(D)，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)与成分(C)的合计质量之比为1～15，
成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物，
[化1]
所述通式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，R2表示羧基、羰基、具有酯键的官能团、氢原子或碳原子数1～4的烷基，R3表示乙酰基、氢原子或碳原子数1～4的烷基；
成分(B)：烷基胺；
成分(C)：多元羧酸；
成分(D)：抗坏血酸。
2.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述成分(C)的质量相对于所述成分(B)的质量之比为1～15。
3.如权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述成分(A)包含选自由组氨酸和组氨酸的衍生物组成的组中的至少一种。
4.如权利要求1～3中任一项所述的清洗液，其中，所述成分(B)包含烷基二胺。
5.如权利要求4所述的清洗液，其中，所述烷基二胺包含选自由1,2-二氨基丙烷、1,3-二氨基丙烷和N-甲基-1,3-二氨基丙烷组成的组中的至少一种。
6.如权利要求1～5中任一项所述的清洗液，其中，所述成分(C)包含选自由柠檬酸和柠檬酸的衍生物组成的组中的至少一种。
7.如权利要求1～6中任一项所述的清洗液，其进一步包含下述成分(E)，
成分(E)：季铵氢氧化物。
8.如权利要求1～7中任一项所述的清洗液，其进一步包含下述成分(F)，
成分(F)：水。
9.如权利要求1～8中任一项所述的清洗液，其pH为10.0～14.0。
10.如权利要求1～9中任一项所述的清洗液，其用于化学机械研磨后清洗或蚀刻后清洗。
11.如权利要求1～10中任一项所述的清洗液，其用于铜或包含铜的化合物露出的面的清洗。
12.一种清洗方法，其包括使用权利要求1～11中任一项所述的清洗液对半导体晶片进行清洗的工序。
13.一种半导体晶片的制造方法，其包括使用权利要求1～11中任一项所述的清洗液对半导体晶片进行清洗的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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