[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种衬底处理方法，对包含多晶硅的蚀刻对象物及与所述蚀刻对象物不同的非蚀刻对象物露出的衬底供给碱性蚀刻液，且包括：

蚀刻液制作步骤，制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由所述季铵氢氧化物产生的氢氧离子与所述蚀刻对象物接触的阻碍物质的碱性的所述蚀刻液；及

选择蚀刻步骤，将在所述蚀刻液制作步骤中制作的所述蚀刻液供给至所述蚀刻对象物与所述非蚀刻对象物露出的所述衬底，由此一边阻碍所述非蚀刻对象物的蚀刻，一边对所述蚀刻对象物进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中所述蚀刻液制作步骤包括浓度决定步骤，该浓度决定步骤是基于构成所述多晶硅的单晶硅的多个结晶面中的蚀刻速度差的目标值，决定所述蚀刻液中的所述阻碍物质的浓度。

3.根据权利要求1或2所述的衬底处理方法，其中在所述蚀刻液制作步骤中制作的所述蚀刻液中的所述阻碍物质的浓度为20质量％浓度以上且小于100质量％浓度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底处理方法，其中所述阻碍物质的分子大于所述氢氧离子。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底处理方法，其中所述蚀刻液制作步骤包括喷出前混合步骤，该喷出前混合步骤是在所述蚀刻液从喷出口喷出之前，将所述季铵氢氧化物、所述水及所述阻碍物质加以混合，

所述选择蚀刻步骤包括喷出步骤，该喷出步骤是使所述喷出口将在所述蚀刻液制作步骤中制作的所述蚀刻液朝向所述衬底喷出。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的衬底处理方法，其在所述选择蚀刻步骤之前还包括自然氧化膜去除步骤，该自然氧化膜去除步骤是将氧化膜去除液供给至所述衬底，而将所述蚀刻对象物的自然氧化膜去除。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的衬底处理方法，其中所述蚀刻对象物是通过执行多个步骤而获得的薄膜，这些步骤包括使多晶硅沉积的沉积步骤以及对在所述沉积步骤中沉积的所述多晶硅进行加热的热处理步骤。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的衬底处理方法，其中所述蚀刻液制作步骤包括溶存氧浓度变更步骤，该溶存氧浓度变更步骤是使所述季铵氢氧化物、所述水及所述阻碍物质中至少一个的溶存氧浓度降低。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的衬底处理方法，其还包括氛围氧浓度变更步骤，该氛围氧浓度变更步骤是使与保持在所述衬底的所述蚀刻液接触的氛围中的氧浓度降低。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的衬底处理方法，其中所述阻碍物质为二醇。

11.根据权利要求10所述的衬底处理方法，其中所述蚀刻液制作步骤是制作包含作为所述季铵氢氧化物的TMAH(四甲基氢氧化铵)、所述水及作为所述二醇的丙二醇的碱性的所述蚀刻液的步骤。

12.一种衬底处理装置，对包含多晶硅的蚀刻对象物及与所述蚀刻对象物不同的非蚀刻对象物露出的衬底供给碱性蚀刻液，且包含：

蚀刻液制作机构，制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由所述季铵氢氧化物产生的氢氧离子与所述蚀刻对象物接触的阻碍物质的碱性的所述蚀刻液；及

选择蚀刻机构，将所述蚀刻液制作机构所制作的所述蚀刻液供给至所述蚀刻对象物与所述非蚀刻对象物露出的所述衬底，由此一边阻碍所述非蚀刻对象物的蚀刻，一边对所述蚀刻对象物进行蚀刻。

13.根据权利要求12所述的衬底处理装置，其中所述蚀刻液制作机构包含浓度决定机构，该浓度决定机构基于构成所述多晶硅的单晶硅的多个结晶面中的蚀刻速度差的目标值，决定所述蚀刻液中的所述阻碍物质的浓度。