[发明专利]热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了由该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法

权利要求书

1.一种热电转换材料的芯片的制造方法，其是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：

(A)在基板上形成牺牲层的工序；

(B)在所述工序(A)中得到的所述牺牲层上形成所述热电转换材料的芯片的工序；

(C)对所述工序(B)中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及

(D)将所述工序(C)中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序。

2.根据权利要求1所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述牺牲层包含树脂、或脱模剂。

3.根据权利要求2所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述树脂为热塑性树脂。

4.根据权利要求3所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述热塑性树脂为聚甲基丙烯酸甲酯、或聚苯乙烯。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述脱模剂为氟类脱模剂、或有机硅类脱模剂。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述牺牲层的厚度为10nm～10μm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述基板为选自玻璃、氧化铝及硅中的1种。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述热电半导体组合物包含热电半导体材料，该热电半导体材料为铋-碲类热电半导体材料、碲化物类热电半导体材料、锑-碲类热电半导体材料、或硒化铋类热电半导体材料。

9.根据权利要求8所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述热电半导体组合物进一步包含耐热性树脂、以及离子液体和/或无机离子性化合物。

10.根据权利要求9所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述耐热性树脂为聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或环氧树脂。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述退火处理在温度250～600℃下进行。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述工序(D)包括：

(D-1)将所述工序(C)中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片从所述牺牲层剥离、并转印至粘合片的粘合剂层的工序；以及

(D-2)使所述粘合剂层的粘合力降低，将所述工序(D-1)中转印后的热电转换材料的芯片从所述粘合剂层剥离的工序。

13.根据权利要求12所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

在所述工序(D-2)中，通过热或照射能量射线来进行所述粘合剂层的粘合力的降低。

14.根据权利要求12或13所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述粘合剂层包含能量射线固化型粘合剂、加热固化型粘合剂、或加热发泡型粘合剂。

15.根据权利要求12～14中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述热电转换材料的芯片的形成通过模版印刷法进行。

16.根据权利要求12～15中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，

所述粘合剂层的厚度与所述热电转换材料的芯片的厚度之比为5/100～70/100。